高志远
,
段焕涛
,
郝跃
,
李培成
,
张金凤
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.019
研究了用MOCVD设备在高温和低V/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错.GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作用.
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
缺陷
,
材料表征
,
表面坑
