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立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

史锴 , 杨坚 , 刘慧舟 , 胡广勇 , 舒勇华 , 王晓华 , 袁冠森

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.03.002

系统研究了Cu-Ni 合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律,重复地获得了稳定的再结晶{001}<100>立方织构.用表面氧化外延(SOE)法生成了 NiO(200)薄膜.轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素.在获得了强立方织构 Cu-Ni 合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽(FWHM)≤10°),通过SOE方法得到了取向良好NiO(200)缓冲层.

关键词: 基带 , 立方织构 , 表面氧化外延 , 铜式织构 , S织构

表面氧化外延法中温制备涂层导体NiO种子层

朱晓垒 , 赵勇 , 蒲明华 , 张红

低温物理学报

高温超导涂层导体是解决当今能源危机的重要复合材料之一,而经济、有效、节能的制备技术是涂层导体广泛应用的关键.本文采用表面氧化外延法在Ni wt.5%W基带上普氩下中温氧化制备了立方织构的NiO种子层.通过对氧化温度和氧化时间两个主要因素分析,确定了NiO生长条件为普氩中790℃内保温20 mins.与高温(空气中1000℃以上)制备相比,降低了氧化膜制备温度.薄膜厚度大约为650 nm.最后在生成的NiO薄膜上化学溶液沉积了YBa2 Cu3O7δ/SmBiO3复合层,所得样品超导转变温度为89 K,77 K自场下临界电流密度为1.46 MA/cm2(77 K,零场).中温表面氧化外延法为涂层导体制备提供了一种实用可行路径.

关键词: 涂层导体 , 表面氧化外延 , NiO种子层

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