周海月
,
赵振
,
郭祥
,
魏文喆
,
王一
,
黄梦雅
,
罗子江
,
丁召
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.013
通过扫描隧道显微镜(STM)以及反射式高能电子衍射(RHEED)对在不同As4等效束流压强(As4BEP)下生长的In0.53 Ga0.47 As薄膜表面重构进行研究.研究发现在两种As4 BEP条件下,样品表面重构都以(4×3)/(n×3)为主,并存在c(6×4)、β2(2×4)以及α2(2×4)三种重构类型.和低As4 BEP条件相比,高As4 BEP条件下反射式高能电子衍射仪图像更加清晰,高分辨率的STM扫描图片也能够分辨出各种重构类型.对高分辨率的STM扫描图像进行进一步分析得到,随着As4 BEP的升高,β2(2×4)重构类型明显减少,这是由于高As4 BEP减少In偏析,从而抑制β2(2×4)重构的产生.
关键词:
STM
,
In0.53Ga0.47As薄膜
,
As4BEP
,
表面重构
罗子江
,
周勋
,
王继红
,
郭祥
,
丁召
材料导报
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点.重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持.
关键词:
RHEED
,
STM
,
GaAs(001)
,
表面重构
陈立桥
,
杨宇
功能材料
分别采用Tersoff势与S-W势对不同温度下Si(100)面重构情况进行分子动力学模拟,找出了这两种势函数下发生重构的温度范围,进而采用S-W势对几种典型情况进行模拟研究.结果发现,二聚体形成前后的温度、内能会出现明显变化,高温时重构速度快但效果较差且不稳定,会形成吸附单体.原子间距为0.33nm左右是二聚体形成的关键距离.
关键词:
硅
,
分子动力学模拟
,
表面重构
,
二聚体
罗子江
,
周勋
,
王继红
,
郭祥
,
王一
,
魏文喆
,
丁召
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.019
采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs (001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过 GaAs (001)在不同 As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是 GaAs (001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态；多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式；当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
关键词:
STM
,
GaAs 薄膜
,
形貌相变
,
表面重构
,
As BEP
王继红
,
罗子江
,
周勋
,
张毕禅
,
郭祥
,
丁召
材料导报
利用带有反射高能电子衍射(RHEED)仪的分子束外延(MBE)方法,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,在InAs(001)基片上同质外延InAs薄膜.利用扫描隧道显微镜(STM)对MBE生长的InAs薄膜表面形貌以及表面重构进行扫描分析,证实样品表面为原子级平整,并指出样品表面处于β2(2×4)与α2(2×4)两种重构混合的重构相.
关键词:
InAs薄膜
,
分子束外延
,
反射高能电子衍射
,
扫描隧道显微镜
,
表面重构
于新彪
,
邓冬梅
,
白丽华
,
曹世勋
,
张金仓
低温物理学报
在130-830K温度范围内,系统研究了Si（111）-√3×√3-Ag和Si（111）-3×1-Ag超薄膜重构表面的光学二次谐波的温度依赖性,分析了信号强度的变化和表面结构之间的关联.结果表明,对于Si（111）-3×3-Ag结构薄膜表面而言,在130K到320 K的温度范围内,表面光学二次谐波信号强度的变化中没有出现明显的跃变,反映出在这一温度范围内没有出现结构相变,与K.Sakamoto等人的光电子衍射实验结果一致.而对于Si（111）-3×1-Ag薄膜表面,二次谐波信号在200K到500K之间出现的台阶式变化可能反映了在500 K时Si（111）-3×1-Ag到Si（111）-6×1-Ag的结构相变.其结果对金属原子在半导体表面的吸附、金属超薄膜生长机理和纳米结构体系结构相变的研究具有一定的参考价值和实际意义.
关键词:
Ag/Si(111)超薄膜
,
表面重构
,
光学二次谐波法
,
结构相变
