马高峰
,
雷宁
,
张国防
,
卢亚峰
,
郗大来
,
白宏斌
,
王炳旭
,
冯宝奇
材料导报
根据镧、铜及锰盐在不同溶剂中的溶解性,选择合适的溶剂及镧、铜及锰盐为前驱体,配制成前驱溶液进行润湿性、稳定性及不同衬底热处理实验.成功筛选出制备La2CuMnO6(LCMO)缓冲层薄膜的前驱体,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对化学溶液沉积法(CSD)合成的La2CuMno6薄膜的相组成和形貌结构进行了表征.结果表明,选择合适的前驱体(La(CH3COO)3·1.5H2O、Cu(CH3COO)2·1.0H2O、Mn(CH3COO)2·4.0H2O)及SrTiO3(STO)(100)衬底,在1000℃、保温时间3h、空气气氛及总离子浓度为1.0mol/L工艺条件下制备的La2CuMnO6薄膜具有很好的c轴织构,薄膜表面较平整、均匀、无裂纹、无孔洞,分布均匀且排列致密,完全满足缓冲层对薄膜的要求.
关键词:
化学溶液沉积法
,
La2CuMnO6
,
前驱体金属盐
,
衬底
,
筛选
,
缓冲层薄膜
,
制备
,
结构表征
徐岳生
,
付生辉
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
,
郝景臣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.
关键词:
LEC SI-GaAs
,
AB-EPD
,
跨导
,
衬底
,
位错
,
PLmapping
,
临界值
陆峰
,
徐成海
,
闻立时
,
曹洪涛
,
裴志亮
,
孙超
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.07.002
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析.结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω*cm和9.73×10-4Ω*cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%.由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好.
关键词:
ZAO薄膜
,
衬底
,
直流磁控溅射
,
性能
,
XRD衍射分析
,
电阻率
,
透射率
彭观良
,
邹军
,
庄漪
,
张涟翰
,
周国清
,
周圣明
,
徐军
,
干福熹
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.018
由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.
关键词:
晶体生长
,
提拉法
,
γ-LiAlO2
,
外延
,
GaN
,
衬底
,
红外
刘军
,
陈志刚
,
陈春
,
毕凯
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.12.003
分别将W18Cr4V高速钢和YG8硬质合金作为衬底材料,用直流磁控溅射和射频磁控溅射法制备了CNx薄膜,用划痕法测定了薄膜和衬底材料之间的膜基结合力.结果表明:YG8硬质合金作为衬底材料时薄膜的膜基结合力较高;对YG8硬质合金衬底材料进行适当的腐蚀处理或溅射一层TiN中间层,薄膜的膜基结合力明显提高;对于两种衬底材料,射频磁控溅射法制备的薄膜膜基结合力明显高于直流磁控溅射法制备的薄膜.
关键词:
磁控溅射
,
衬底
,
CNx薄膜
,
结合力
程红娟
,
张嵩
,
徐永宽
,
郝建民
材料科学与工程学报
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响.我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布.根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的结构与普通实验使用的基座结构进行实验对比.结果发现,在实际的大流量载气的GaN生长中,采用优化的圆弧凹面结构石墨基座实验组的GaN晶体外延层的生长速率、生长质量和均匀性等比普通方法生长的更好.本文得到的不同HVPE生长环境下的基座结构优化设计方案,为HVPE炉体的设计和氮化物生长具有很好的指导意义.
关键词:
模拟
,
GaN HVPE
,
基座
,
衬底
魏雄邦
,
蒋亚东
,
吴志明
,
廖家轩
,
贾宇明
,
田忠
材料导报
采用直流反应磁控溅射法在不同基片上制备了80nm和1000nm厚的氧化钒薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜及扫描电镜进行了薄膜微观结构分析.结果表明,薄膜的晶化受衬底影响较大,晶化随膜厚的增加而增强.不同衬底上生长的薄膜晶粒尺寸存在较大差异,Si_3N_4/Si衬底上生长的薄膜晶粒细小,薄膜较为平坦;玻璃衬底、Si衬底和α-Al_2O_3陶瓷衬底上生长的薄膜晶粒较为粗大.随着膜厚的增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大,不同衬底上生长的二氧化钒薄膜晶粒都具有一种独特的"纺锤"形或"棒"形.
关键词:
氧化钒薄膜
,
衬底
,
膜厚
,
微观结构
张玮
,
谭劲
,
鄢维
,
雷婷
,
孟小康
,
孙夏微
,
李聪明
材料导报
金刚石作为自然界中热导性最好的材料,在半导体行业的应用越来越广泛.随着LED行业的不断发展,金刚石芯LED也崭露头角.综述了自20世纪50年代以来,金刚石材料作为衬底和外延材料在半导体光电子领域的研究进展.主要从两个方面展开论述:金刚石作为衬底外延GaN的研究进展；以及金刚石本身作为外延材料制备成p-n结、p-i-n结、异质结等半导体器件的研究进展.这些研究充分体现了金刚石材料应用在LED产品中的可行性和优越性,以及应用在大功率LED芯片中的巨大潜力.
关键词:
金刚石
,
发光二极管
,
衬底
,
外延材料
赵彦民
,
肖温
,
李微
,
杨立
,
乔在祥
,
陈贵锋
人工晶体学报
分别在Al∶ ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0.8 μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响.在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/204)衍射峰反而增强.
关键词:
宽带隙
,
铜镓硒
,
共蒸发
,
衬底
