徐锋
,
左敦稳
,
张旭辉
,
户海峰
,
王珉
人工晶体学报
合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究.仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降.同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
磁控溅射
,
衬底偏压
,
离子轰击
,
立方相
朱嘉琦
,
孟松鹤
,
韩杰才
,
檀满林
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.01.013
采用过滤阴极真空电弧技术并施加一定的衬底负偏压,在P(100)单晶硅片上制备出四面体非晶碳薄膜利用可见光Raman光谱研究薄膜的结构,通过BWF函数描述的单斜劳伦兹曲线拟合数据并获得表征曲线非对称性的耦合系数,从而反映了薄膜中sp3杂化的含量分别用原子力显微镜和纳米压入仪研究薄膜的表面形态和力学性能.结果表明:当衬底偏压为-80V时,薄膜中sp3杂化的含量最多,均方根表面粗糙度值最低(Rq=0.23nm),硬度、杨氏模量和临界刮擦载荷也最大,分别为51.49GPa、512.39GPa和11.72mN.随着衬底偏压的升高或降低,sp3键的含量减少,其它性能指标也分别降低.
关键词:
无机非金属材料
,
四面体非晶碳
,
过滤阴极真空电弧
,
衬底偏压
,
Raman光谱
,
机械性能
林良武
,
唐元洪
,
朱利兵
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.039
探索了原子氢在各类制备条件下对纳米金刚石薄膜生长所起的作用,指出贫氢环境并不是纳米金刚石薄膜制备的必备条件,原子氢与Ar在贫氢环境和富氢环境中的作用机理不尽相同.通过施加衬底偏压能促进氢离子的产生,氢离子刻蚀sp2碳的能力比刻蚀sp3碳能力强很多,同时能产生表面缺陷,因而富原子氢环境更有利于纳米金刚石薄膜成核与生长.
关键词:
原子氢
,
纳米金刚石薄膜
,
衬底偏压
,
成核
,
生长
刘阳
,
马骥
,
唐斌
,
蒋美萍
,
苏江滨
,
周磊
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.03.038
采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为(5.23～9.98)×10-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23～2.47 eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100 V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制.
关键词:
Cu/Cu20
,
弥散复合薄膜
,
磁控溅射
,
衬底偏压
,
电阻率
,
禁带宽度
