王晏研
,
陈喜荣
,
黄光速
,
潘启英
,
吴锦荣
高分子材料科学与工程
制备了CIIR/ACM/PZT/CB复合材料,通过测试该材料的振动衰减时间对其阻尼性能进行了表征,并探讨了材料不同的电阻与其阻尼性能的关系.结果表明,当材料电阻率在102.5 Ω·cm～109.5 Ω·cm,且压电陶瓷含量在30%～40%时,该复合材料具有优良的阻尼减振性能.
关键词:
阻尼
,
压电陶瓷
,
炭黑
,
衰减时间
桂强
,
张春生
,
邹本飞
,
张明荣
人工晶体学报
本文采用改进的Bridman法,以优化的工艺成功地定向生长出了φ50mm×50 mm的溴(氯)化镧(铈)晶体,即掺氯化铈的溴化镧晶体,简称LBC晶体,测量了样品的光输出、能量分辨率、闪烁时间特性等性能指标.结果表明,坩埚下降法定向生长φ50 mm的LBC晶体具有优异的闪烁性能,其能量分辨率为3.1％,光输出相当于NaI∶Tl晶体的156％,衰减时间为17ns.
关键词:
溴化镧晶体
,
坩埚下降法
,
能量分辨率
,
衰减时间
任常瑞
,
胡翔
,
李东升
,
杨德仁
材料科学与工程学报
本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiN2中注入Tb3+离子.然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用.研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小.而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响.
关键词:
SiNx:Tb3+薄膜
,
银岛膜
,
衰减时间
,
表面等离激元
沈琦
,
陈红兵
,
王金浩
,
蒋成勇
,
潘建国
,
徐军
人工晶体学报
以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度.结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns；以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5％～57.4％,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107 rad.
关键词:
钨酸镉
,
坩埚下降法
,
衰减时间
,
辐照硬度
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.005
研究了80～500 K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3∶Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性.在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低.在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定:低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱.225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小.利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
关键词:
发光
,
衰减时间
,
Li6Gd(BO3)3∶Ce
,
温度依赖
安丽琼
,
章健
,
刘敏
,
王士维
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.037
采用共沉淀工艺合成了Yb3+离子和Ho3+离子共掺杂的Lu2O3纳米粉体,研究了粉体的斯托克斯(Stokes)和反斯托克斯(Anti-Stokes)发光特性以及煅烧温度对粉体发光性能的影响.在氙灯447.5nm和半导体激光器980nm激发下样品均发射出明亮的绿光,观察到了不同Ho3+离子浓度掺杂的纳米粉体的浓度淬灭现象.发射强度与激发功率的关系表明Anti-Stokes发光是双光子过程,能量转移是主要的上转换机制.Ho3+离子的5F4,5S2能级在不同波长激发下的衰减时间也证实了浓度淬灭及能量转移现象.
关键词:
氧化镥纳米粉体
,
Anti-Stokes发光
,
衰减时间
,
Stokes发光
孙丹丹
,
潘尚可
,
任国浩
,
吴云涛
,
商珊珊
,
张国庆
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12735
针对Ce:Li6Lu(BO3)3晶体有效原子序数(zeff)高的问题,采用低原子序数的Y3+离子部分置换晶体中的Lu3+离子.通过固相合成法制备了Ce:Li6Lu1-xYx(BO3)3(0≤x≤1)固溶体.X射线粉末衍射(XRD)分析表明,该系列固溶体结构与Li6Gd(BO3)3晶体相同,空间群为P21/c.其X射线激发发射(XSL)的发光强度随着Y3+的含量增加而降低,当x=0.5时,固溶体的有效原子序数与Li6Gd(BO3)3闪烁体相当,但XSL发光强度是其1.4倍.Ce:Li6Lu0.5Y0.5(BO3)3的XSL光谱和PL光谱都在400 nm附近出现Ce3+离子的特征峰,可拟合出361和419 nm两个发光分量,分别对应于Ce3+离子的激发态电子的5d1→2F5/2和5d1→2F7/2能级跃迁.Ce:Li6Lu0.5Y0.5(BO3)3固溶体的衰减时间比Ce:Li6Lu(BO3)3略长,为19.6 ns.当x=0.50～0.70时,Ce:Li6Lu1-xYx(BO3)3(0≤x≤1)闪烁体比较适合作为中子探测材料.
关键词:
固相合成
,
Ce∶Li6LU1-xYx(BO3)3
,
X射线激发发射谱
,
PL光谱
,
衰减时间
任国浩
,
宋朝晖
,
张子川
,
张侃
,
杨帆
,
李焕英
,
陈晓峰
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160304
纯碘化铯晶体是一种具有快衰减闪烁特性的新型辐射探测材料,在伽马射线、中子和其它辐射探测技术中有重要的应用前景.本研究以Bridgman法所生长的纯碘化铯为对象,分别研究了该晶体的透射光谱以及在紫外光、连续X射线、脉冲X射线和宇宙射线激发下的发射光谱、时间响应特性和沿晶体生长方向不同部位的光输出分布特点.实验测得晶体的吸收边为240 nm,激发和发射波长分别位于241 nm和318 nm,发光衰减时间分别为2～3 ns和18～25 ns.以尺寸为30 mm×30 mm×200mm的晶体籽晶端和尾端与PMT耦合所测得的光输出分别是143 p.e/MeV和127 p.e./MeV,尽管晶体两端的光输出存在12.6％的差异,但没有观察到衰减时间长于100 ns的慢分量.这些性能进一步证明纯碘化铯晶体具有作为快闪烁体的优势.
关键词:
纯碘化铯
,
晶体
,
透光性
,
发光
,
衰减时间
,
光输出
李锋锐
,
顾牡
,
何徽
,
畅里华
,
温伟峰
,
李泽仁
,
陈亮
,
刘金良
,
欧阳晓平
,
刘小林
,
刘波
,
黄世明
,
倪晨
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160262
采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex＜49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.
关键词:
γ-CuI晶体
,
超快闪烁体
,
衰减时间
,
能量响应
