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磁场退火制备FePt/Ag垂直磁化薄膜

展晓元 , 齐俊杰 , 顾有松 , 李建民 , 张跃

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.003

采用磁控溅射法在自然氧化的单晶Si(100)基底上制备了(FePt/Ag)10多层薄膜,并在10kA/m磁场中进行了不同温度的真空热处理,研究了磁场作用下,不同热处理温度对FePt薄膜有序化转变及磁性能的影响.X射线衍射研究表明,在磁场作用下通过多层膜设计可以比较容易获得垂直生长的易磁化轴;选择适当的热处理温度、降低多层膜中每层膜厚可以制备出晶粒尺寸细小均匀的FePt/Ag垂直磁化薄膜,适用于高密度垂直磁记录介质材料.

关键词: 记录介质 , 结构 , 磁性能 , 热处理

纳米结构FePt薄膜的结构与磁性研究

展晓元 , 顾有松 , 张大勇 , 张跃

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.004

采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了纳米结构的Fex Pt100-x(x=30at%~60at%)薄膜.高温XRD分析表明,薄膜在500℃热处理有明显的面心立方FCC结构向面心四方FCT结构转变. 通过VSM、AFM对薄膜样品的磁性检测和晶粒尺度的观察,FePt合金薄膜有序化转变的最佳热处理温度在400~500℃,在这个热处理温度范围内,薄膜软硬磁耦合较好,矫顽力适当(306kA/m),晶粒尺寸约为10nm,适合于做高密度磁记录介质材料.

关键词: 记录介质 , 结构观察 , 磁性能 , 热处理

可擦重写光盘记录介质材料及其特性

张喜燕 , 陈志武

材料导报

可擦重写光盘因其能对已写入文件进行改写,因此比只读光盘、一次写入光盘具有更大的灵活性,从而具有很好的应用前景.论述了两种可擦重写光盘记录介质即磁光盘记录介质与相变光盘记录介质的记录机理,并详细阐述了两种记录介质的性能要求.

关键词: 可擦重写光盘 , 记录介质 , 磁光盘 , 相变光盘 , 性能

Sb-Se系和Ge-Sb-Te系相变光盘记录介质的热力学参数、微观结构及光学性能

陈志武 , 胡乔生 , 张颖 , 程璇 , 张熹燕

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.07.020

利用DSC,X射线衍射及分光光度计,对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系记录介质的热力学参数、非晶态薄膜相变前后结构的变化及光学性能进行了系统的研究.结果表明,Sb-Se系非晶态的光稳定性很不理想,随着波长的改变,反射率变化太快.对于Ge-Sb-Te系的两种成分合金,在各种波段处都有较大的反衬度,其非晶态的光稳定性也比较理想,随着波长的改变,反射率变化不大.

关键词: 相变光盘 , 记录介质 , 热力学参数 , 光学 , 薄膜

Sb-Se系和Ge-Sb-Te系粉末材料热力学参数测试

陈志武 , 张喜燕

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.004

利用DSC对Sb-Se系和Ge-Sb-Te系粉末热力学参数进行了研究,对于Sb-Se系合金,仅在温度为220℃左右时出现一个放热峰,而对于GeSb2Te4与GeSb4Te4合金,分别在140℃及200℃左右各出现一个放热峰,加热速度不同放热峰出现温度略有差别.

关键词: 相变光盘 , 记录介质 , 热力学

Sb-Se系和 Ge-Sb-Te 系相变光盘记录介质的热力学参数、微观结构及光学性能

陈志武 , 胡乔生

金属学报

利用DSC,X射线衍射及分光光度计,对Sb-Se系和Ge-Sb-Te 系记录介质的热力学参数、非晶态薄膜相变前后结构的变化及光学性能进行了系统的研究。结果表明:Sb-Se系非晶态的光稳定性很不理想,随着波长的改变,反射率变化太快。对于Ge-Sb-Te 系的两种波段处都有较大的反衬度,其非晶态光稳定性也比较理想。随着波长的改变,反射率变化不大。

关键词: 相变光盘 , null , null

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