王宇光
,
刘敏
,
周洪庆
,
陈栋
,
杨春霞
,
沈朝忠
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.03.009
在Bao0.55Sr0.45TiO3(BSTO)与质量分数为55%的MgO混合的基础上,进行ZrO2掺杂的系统研究.结果表明.随着ZrO2掺入量的增加,BSTO/MgO材料的损耗基本保持不变,调谐性显著提高,但过量的ZrO2掺杂使得材料的调谐性降低.当ZrO2掺杂1%(摩尔分数)时,BST/MgO材料的介电常数为117,介电损耗为3.95×10-3(3.2 GHz),介电常数调谐性达9.9%(2.0 kV/mm).利用电介质理论分析ZrO2对BST/MgO材料介电性质的改性机理.
关键词:
钛酸锶钡
,
ZrO2
,
介电常数
,
介电损耗
,
铁电材料
,
调谐性
印志强
,
孙小华
,
陈章红
,
李美亚
,
赵兴中
功能材料
利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%(摩尔分数)的(Ba0.6Sr0.4) Ti1-xCoxO3薄膜.研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系.薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少,在摩尔含量10%时达到最小值0.0128.FOM值在摩尔含量为2.5%达到最大值20,它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639.42、0.0218、43.6%.
关键词:
BSTC薄膜
,
溶胶-凝胶
,
介电特性
,
调谐性
,
品质因子FOM
周洪庆
,
杨春霞
,
王宇光
,
宋昊
,
刘敏
功能材料
采用固相反应法制备了未掺杂和La2O3掺杂(0.5%、1%、2%(摩尔分数))的Ba0.55Sr0.45TiO3/MgO复合陶瓷材料,并研究了它们的显微结构和各种介电性能.研究结果表明,La2O3除一部分会进入BST晶格獭代Ba或Sr的位置外,还会有一部分与MgO等形成无定形态物质滞留在晶界,起到抑制BST晶粒生长的作用.BST/MgO复合陶瓷的居里温度随La2O3掺杂量的增大而降低,居里温度的降低导致了介电常数的减小.适量的La2O3掺杂提高了复合陶瓷的调谐性,而且La2O3掺杂明显降低了复合陶瓷的微波介电损耗.0.5%(摩尔分数)La2O3掺杂的BST/MgO复合陶瓷具有最佳的综合介电性能,其在10kHz下的调谐性为6.9%(2kV/mm),3.99GHz时的介电常数和介电损耗分别为87.5和3.35×10-3,基本可以满足铁电移相器的使用要求.
关键词:
铁电复合陶瓷材料
,
微观结构
,
调谐性
