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汤乃云
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.006
本文采用半经验紧束缚能带理论,通过自洽计算薛定谔方程和泊松方程研究了AlN/GaN共振隧穿二极管中极化效应对电流的影响.结果发现,极化效应导致电流曲线发生不对称性,并影响电流的共振电压位置,这与实验报道的结果相一致.并且随着极化电荷的增加,在一定的偏压条件下,只能观测到一个子能级隧穿或者根本没有负微分电阻现象发生.
关键词: AlN/GaN , 共振隧穿二极管 , 极化 , 负微分电阻
吕京涛 , 曹俊诚
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.040
在闪锌矿结构的GaN中,载流子在Γ能谷中反射能够引起负微分电阻效应.基于这种机制的GaN n+n n+ 振荡器的自振荡频率在太拉赫兹范围内.从理论上仔细研究了这种振荡器内部电场畴的动态变化以及振荡频率对振荡器两端所加电场的依赖关系,并预言了利用GaN负微分电阻振荡器作为可调谐太拉赫兹源的理论可能性.
关键词: 太拉赫兹 , 负微分电阻 , 庚氏效应
