李飙
,
任艺
,
常本康
,
陈文聪
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.08.008
GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段.分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的选出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性.
关键词:
负电子亲和势
,
GaN
,
光电阴极
,
光电发射
,
激发
,
输运
,
激活
袁桃利
,
王秀峰
,
牟强
材料导报
负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率.介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率.
关键词:
负电子亲和势
,
功函数
,
发光效率
,
光电子
丁明清
,
李莉莉
,
冯进军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0688
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为.对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9.值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理.如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留.另外,10 mg/L B2H6/CH4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2.
关键词:
B掺杂金刚石膜
,
负电子亲和势
,
二次电子发射系数
,
氧化处理
