Dejun LI
材料科学技术（英）
Multilayered ZrAlN/ZrB2 coatings containing alternating bilayer periods were synthesized by dc magnetron sputtering technique. The intensities of ZrN (111) or ZrN (200) textures in the structure of the nanolayers depended on the bilayer period as well as N2 gas partial pressure during deposition. Nanoindentation testing showed that hardness and internal stress of the nanolayers varied with the bilayer period and crystallographic orientation in the coatings. The hardness of the nanolayers with bilayer periods of 3~6 nm was enhanced (~27%) over the rule-of-mixture value. A low percent of N2 in processing gas was proved to be benefitial to the synthesis of high hard nanoscale multilayered coatings.
关键词:
Nanoscale multiplayer
,
超晶格
,
磁控溅射
李戈扬
,
韩增虎
,
田家万
,
张流强
,
顾明元
稀有金属材料与工程
研究了W/Mo纳米多层膜的微结构及超硬效应.W/Mo纳米多层膜采用磁控溅射技术制备,并采用XRD、TEM和显微硬度计研究了薄膜的微结构和硬度.结果表明,W/Mo纳米多层膜形成多晶外延生长的超晶格结构;界面共格畸变使W,Mo两调制层的晶面间距随调制周期的减小而相互接近,在多层膜中形成交变应力场,从而使薄膜得到强化.
关键词:
W/Mo纳米多层膜
,
界面结构
,
超晶格
,
超硬效应
李红星
,
赵新兵
,
李伟文
材料导报
热电效应在发电和致冷方面有着巨大的应用潜力.从如何提高热电材料热电优值的理论研究出发,列出了手找高优值热电材料的几种主要途径.在此基础上,重点介绍了最近几年来新型热电材料的研究发展情况,包括笼式化合物、超晶格热电材料、Half-Heusler合金等.并提出了亟待解决的问题和今后的研究方向.
关键词:
热电材料
,
热电价值
,
超晶格
,
笼式化合物
穆武第
,
程海峰
,
唐耿平
材料导报
随着热电材料与薄膜制备技术和性能研究手段的发展,具有高热电性能的纳米超晶格热电薄膜已受到人们的关注.简要介绍了超晶格热电薄膜的理论研究、制备和分析测试技术,指出了超晶格热电薄膜主要应用环境和存在的问题以及可能的发展方向.
关键词:
超晶格
,
热电材料
,
薄膜
,
制备
谢华清
稀有金属材料与工程
随着现代技术的发展和能源环境危机的加剧,适应21世纪绿色环保主题的热电材料及其器件越来越受到关注.近年来的理论和实验研究表明,低维化和小尺度化是热电材料研究和开发极具前景的发展方向,本文对低维热电材料性能的影响因素、材料合成以及性能测试技术的研究进展进行介绍和简要评述,并讨论了低维热电材料的研发方向.
关键词:
热电材料
,
超晶格
,
纳米线
,
纳米管
,
纳米复合
周增林
,
林晨光
,
惠志林
,
崔舜
,
尉海军
,
罗永春
稀有金属材料与工程
综述了高容量稀土镁镍基A2B7型超晶格贮氢合金的发展历程,其大致可以分为1997～2004年、2005～2007年和2008年至今的3个阶段.目前,A2B7型合金可实现最大放电容量高于380 mAh/g、循环寿命超过500周期,国内已进入产业化试制阶段.对于A2B7型合金,PuNi3、Ce2Ni7、Pr5Co19型等超晶格结构相的定量识别、产业化关键技术突破及其在高容量密封二次电池中的集成应用是未来几年需要重视并解决的问题.
关键词:
高容量
,
A2B7(Ce2Ni7&Gd2Co7)型
,
超晶格
,
稀土镁镍基
,
贮氢合金
刘云杰
,
郝兰众
,
李燕
,
邓宏
材料导报
X射线衍射技术分析发现,通过生长一层较厚的LaAlO3顶层结构,可以把LaAlO3-BaTiO3超晶格中界面处的应变有效地控制在薄膜中,从而增加超晶格薄膜的平均面外晶格常数c.电学性能测试证明LaAlO3顶层结构的存在极大地改善了超晶格薄膜的电学性能,使其剩余极化强度增加了40多倍.
关键词:
超晶格
,
应变
,
X射线衍射
,
剩余极化强度
郭杰
,
郝瑞亭
,
赵前润
,
满石清
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.027
采用分子束外延方法在 GaSb 衬底上生长InAs/GaSb 超晶格红外薄膜材料,为获得台面结构,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术和 Cl2/Ar 刻蚀气体,分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对 GaSb、InAs 及 InAs/GaSb 超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,由于刻蚀产物 InClx 的低挥发性阻挡了 Cl2的刻蚀,InAs 的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20％~40％时,刻蚀表面粗糙度最小,明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤,有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流。
关键词:
InAs/GaSb
,
超晶格
,
ICP 刻蚀
,
刻蚀速率
,
表面形貌
