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掺硼对超纳米金刚石薄膜的影响

王玉乾 , 王兵 , 孟祥钦 , 甘孔银

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2009.03.011

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体,制备出平均晶粒尺寸在7.480 nm左右,表面粗糙度在15.72 nm左右的高质量的超纳米金刚石薄膜;在此工艺基础上以硼烷作为掺杂气体,合成掺硼的金刚石薄膜.表征结果显示在一定的浓度范围内随着硼烷气体的通入,金刚石薄膜的晶粒尺寸及表面粗糙度增大、结晶性变好,不再具有超纳米金刚石膜的显微结构和表面形态;同时膜材的物相组成也发生改变,金刚石组份逐渐增多,并且膜层内出现了更明显的应力以及更好的导电性能.

关键词: 无机非金属材料 , 掺硼 , 超纳米金刚石薄膜 , 化学气相沉积

贫氢富氩气氛下超纳米金刚石薄膜的生长

刘杰 , 黑立富 , 陈广超 , 李成明 , 唐伟忠 , 吕反修

新型炭材料 doi:10.1016/S1872-5805(13)60072-4

利用微波等离子气相沉积法在5% ~20%的氢气浓度下,制备出了超纳米金刚石薄膜(UNCD).利用扫描电子显微镜、XRD、表面轮廓仪及拉曼光谱研究了氢气浓度对超纳米金刚石薄膜的微结构、形貌、以及相组成的影响.结果表明,随着氢气浓度的增加,晶粒粒径及粗糙度都明显增加变大;在不大于10%的氢气浓度气氛下,可以发现晶粒粒径下降到6nm,甚至更低;即便氢气浓度达到20%,晶粒粒径仍然小于10rm.讨论了在富氩气氛下沉积的UNCD的实验结果以及沉积机制.这种极其光滑的UNCD薄膜有望在医疗,声表面波器件以及微机电系统,尤其是在重载和恶劣环境下作为超级密封材料的应用.

关键词: 超纳米金刚石薄膜 , 氢气浓度 , 晶粒粒径

化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜

王玉乾 , 王兵 , 孟祥钦 , 甘孔银

材料导报

采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.

关键词: 微波等离子体 , 化学气相沉积 , 超纳米金刚石薄膜

超纳米金刚石薄膜及其在MEMS上的应用研究进展

李建国 , 丰杰 , 梅军

材料导报

硅基MEMS器件最主要的问题是硅具有低的机械和摩擦性能,限制了其在弯折和运动MEMS器件中的应用.超纳米金刚石薄膜优异的机械、化学惰性、热稳定性、摩擦磨损性能使其成为能长期可靠运行的理想MEMS元件材料.阐述了微波化学气相沉积和Ar、CH4为主的超纳米金刚石薄膜的制备及其机理,综述了超纳米金刚石薄膜与MEMS相关性能及在微摩擦磨损、残余应力方面的研究现状,介绍了超纳米金刚石薄膜覆形沉积、选择性生长和光刻图形化等微加工技术及其在MEMS上的应用研究进展.

关键词: 超纳米金刚石薄膜 , MEMS , 微加工技术

超纳米金刚石薄膜场发射特性的研究

丁明清 , GRUEN Dieter

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.001

超纳米金刚石(UNCD)是一种全新的纳米材料,具有许多独特性能.介绍了Si微尖和微尖阵列阴极沉积超纳米金刚石薄膜的工艺及其场发射特性.研究发现,适当的成核工艺和微波等离子体化学气相沉积工艺可在Si微尖上沉积一层光滑敷形的金刚石薄膜;沉积后阴极的电压-电流特性、发射电流的稳定性以及工作在氧气环境下的发射特性都获得明显提高.讨论了超纳米晶金刚石薄膜阴极的发射机理.

关键词: 超纳米金刚石薄膜 , 场发射 , 微波等离子体化学气相沉积

掺硼对超纳米金刚石薄膜的影响

王玉乾王兵孟祥钦甘孔银

材料研究学报

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术, 利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体, 制备出平均晶粒尺寸在7.480 nm左右、表面粗糙度在15.72 nm左右的高质量的超纳米金刚石薄膜; 在此工艺基础上以硼烷作为掺杂气体, 合成掺硼的金刚石薄膜. 表征结果显示在一定的浓度范围内随着硼烷气体的通入, 金刚石薄膜的晶粒尺寸及表面粗糙度增大、结晶性变好, 不再具有超纳米金刚石膜的显微结构和表面形态; 同时膜材的物相组成也发生改变, 金刚石组份逐渐增多, 并且膜层内出现了更明显的应力以及更好的导电性能.

关键词: 无机非金属材料 , B-doping , ultrananocrystalline diamond film , CVD

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