吴贵斌
,
崔继锋
,
黄靖云
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
关键词:
锗硅合金
,
表面偏析
,
表面耗尽
,
超高真空化学气相沉积
王亚东
,
黄靖云
,
叶志镇
,
汪雷
,
马德群
,
赵炳辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
关键词:
超高真空化学气相沉积
,
实时B掺杂
,
硅外延
