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陈思员 , 姜贵庆 , 俞继军 , 欧东斌
宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2009.03.005
对SiC材料的抗氧化性能进行了试验,研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度.结果表明,SiC材料在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,薄膜厚度和时间的平方根成正比.表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.
关键词: 抗氧化 , 碳化硅 , 转捩温度
宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.007
研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.
关键词: 抗氧化 , 氮化硅 , 转捩温度
