马丽
,
高勇
,
刘静
,
余明斌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.016
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中.实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管.与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性.30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1.这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中.
关键词:
SiGe/Si异质结
,
功率二极管
,
超快速
,
软恢复
祁慧
,
高勇
,
余宁梅
,
马丽
,
安涛
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.015
提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释.
关键词:
SiGe/Si异质结
,
PIN二极管
,
渐变掺杂
,
Medici
,
软恢复
