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空气吸附对石墨烯电学性能的影响

周应秋 , 杨航 , 黄晓琨 , 于晓燕 , 何彪 , 何焰蓝 , 彭刚

材料导报

研究了空气掺杂对化学气相沉积(CVD)法制备的双层石墨烯底栅型场效应管电输运性能的影响.分别在大气、真空(<1 Pa)、氮气以及不同湿度环境中测试了石墨烯场效应管的电学性能,测试结果表明大气中水分子和氧气分子的吸附导致的空穴掺杂作用使石墨烯的电学性能发生了严重退化,随着石墨烯表面吸附水分子和氧气分子的增多,狄拉克转变点电压向正方向的偏移量逐渐增大,空穴掺杂浓度增大,载流子迁移率减小.

关键词: 化学气相沉积 , 石墨烯 , 场效应管 , 空气掺杂 , 载流子迁移率

半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟

罗衡 , 邓联文 , 易图林 , 黄生祥 , 胡照文 , 周克省

材料导报

半导体材料栽流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料栽流子迁移率的玻耳兹曼统计模型.计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为-Vdn=1.1×107cm/s, -Vdn=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性.

关键词: 半导体si , 载流子迁移率 , 玻耳兹曼方程 , 计算模拟

渡越时间方法测量系统研究

康兰兰 , 郭兴 , 王蓉 , 康智慧 , 高锦岳

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132805.0810

载流子迁移率是半导体材料的一项重要参数,而有机材料的载流子迁移率较低,限制了一些传统方法的使用.文章建立了一套用于测量有机材料载流子迁移率的渡越时间(TOF)法实验系统,着重介绍了实验系统中各元件的作用及要求,实验关键技术参数等.该实验系统的主要特点是把激发光源同时作为外触发光源,消除实验中杂散信号的干扰,得到清晰的信号.同时利用实验系统对无机材料Se,有机共轭聚合物材料MEH PPV的载流子迁移率进行测量,结果表明:该实验系统组建方便,快捷,可以较好用于测量有机材料低载流子迁移率,具有一定的实用价值.

关键词: 渡越时间 , 载流子迁移率 , Se , MEH-PPV

盘状液晶材料及电导性能研究的最新进展

郑效盼 , 何志群 , 张春秀 , 王永生

功能材料

盘状液晶分子易于形成柱状相结构材料,从而具有较高的电导特性,是理想的电载流子传输材料,可用于制备光电器件.本文主要介绍苯并菲、酞菁、六苯并冠等盘状液晶材料的制备、电导性能的研究以及在器件应用研究中如纳米导线、有机太阳能电池的最新进展.

关键词: 盘状液晶 , 柱状相 , 载流子迁移率

OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究

刘向 , 刘惠 , 薛钰芝

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.014

用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.

关键词: 酞菁铜 , 半导体厚度 , 载流子迁移率

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