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CeF3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究

胡孟春 , 李忠宝 , 唐章奎 , 彭太平 , 王振通 , 张建华 , 唐正元 , 杨洪琼 , 杨高照

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.029

用CeF3闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管构成两种闪烁探测器,在1.2MeV、2.5MeV、3.5MeV、5.0MeV和14MeV等能量的稳态中子源场中,测量了这两种闪烁体探测器的电流输出,得到结果表明:上述能量的中子与CeF3闪烁探测器作用形成的电流比同尺寸ST401闪烁体构成探测器的输出电流均低一个量级以上,这些结果与这两种探测器在钴、铯γ源中测量结果比较,可以得出在n、γ混合辐射场中测量γ辐射时,CeF3闪烁探测器能够较好地屏蔽这些能量中子的干扰.

关键词: CeF3 , 无机闪烁体 , 辐射探测 , 中子源 , 中子灵敏度 , ST401

国产YAP:Ce闪烁晶体的相对探测能力测量

胡孟春 , 李忠宝 , 周刚 , 张建华 , 赵广军 , 彭太平 , 王振通 , 唐章奎 , 杨高照 , 李如荣 , 唐登攀 , 陈钰钰

人工晶体学报

为适应在n、γ混合脉冲辐射场中对低强度快脉冲γ辐射测量的需要,近年国内新研制出实用型YAlO3:Ce(YAP:Ce)快响应无机闪烁晶体.我们使用脉冲线性电流大于1.5 A的光电倍增管,分别配置这种晶体以及CeF3、NaI等晶体构成闪烁探测器,在放射性标准源场中,对晶体的相对探测能力进行测量.测量结果表明:国产新型YAP:Ce无机晶体对这1.25 MeV 射线的探测能力比同体积的CeF3平均高一个量级,是同体积NaI的40%左右;当晶体厚度小于2 mm时,YAP:Ce与CeF3、NaI的输出比值分别大于16和44%,说明厚度越薄晶体的相对探测能力越强.

关键词: YAlO3 , Ce , YAP , Ce , 无机闪烁体 , 辐射探测

脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对

胡孟春 , 李忠宝 , 唐章奎 , 周殿忠 , 杨洪琼 , 王振通 , 张建华 , 胡青元 , 杨高照

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.039

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.

关键词: CeF3 , 无机闪烁体 , 辐射探测 , 脉冲DT中子源 , 中子灵敏度 , ST401

国产无机闪烁晶体LaCl3:Ce的探测能力和时间响应测量

胡孟春 , 周刚 , 李忠宝 , 张建华 , 张明荣 , 彭太平 , 唐章奎 , 胡青元 , 司粉妮

人工晶体学报

以国产的掺铈氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体与线性电流大于1.5 A的光电倍增管构成闪烁探测器,利用 60Co、137Cs放射性标准源场,实验测量这种探测器对γ辐射的探测能力,并与同情况NaI:Tl闪烁探测器进行比对;利用266 nm单色激光和ns级的γ脉冲辐射分别对这种闪烁体的光致激发、辐射激发的时间响应性能进行测量.测量结果表明:国产新型LaCl3:Ce无机闪烁晶体样品构成的探测器对1.25 MeV 、0.66 MeV γ射线的探测能力平均约为同情况NaI:Tl闪烁探测器的103%,高的已超过了同尺寸NaI:Tl构成的闪烁探测器;266 nm单色激光光致激发时间响应波形前沿、半高宽、后沿和衰减常数分别为1.05 ns、17.42 ns、54.30 ns和24.61 ns,ns级的γ脉冲辐射激发的时间响应波形前沿、半高宽、后沿和衰减常数分别为1.52 ns、21.99 ns、75.13 ns和34.19 ns.

关键词: LaCl3:Ce , NaI:Tl , 无机闪烁体 , 辐射探测 , 探测器

强辐射对Yb∶YAG超快无机闪烁探测器灵敏度影响的实验测量

胡孟春 , 李忠宝 , 甫跃成 , 刘建 , 唐登攀 , 李如荣 , 王文川 , 黄雁 , 陈力雄

人工晶体学报

为了给强脉冲辐射场中应用超快闪烁探测器进行精密物理测试以及相关晶体抗核加固提供实验测量数据参考,针对近年新研制的Yb∶ YAG超快无机闪烁体与GD40光电管构成的快闪烁探测器,在源强近万居的强稳态辐照场中,细致测量了辐射累计伽马剂量从约1 Gy开始到最高约1 kGy全过程中Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出电流的变化数据;在测点注量率大于1017cm-2·s-1的“强光一号”短γ脉冲辐射场中,测量了Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出脉冲波形响应情况.实验测量结果表明:在强稳态辐射场情况下,对应累计剂量5 ~ 10Gy时,YAG(Yb)闪烁探测器灵敏度下降约5~10%(相对辐照IGy时的情况);测点累计伽马剂量约1 kGy时,Yb∶ YAG超快闪烁探测器的电流输出与约1 Gy时的比值约50%;短γ脉冲辐射情况下,测点累计注量约4×109 cm-2,Yb∶ YAG超快闪烁探测器输出电流约1A时,灵敏度下降约10%(相对累计注量约3×109 cm-2的情况),当测点注量大于1010 cm-2(累积剂量超过100 mGy),Yb∶ YAG超快闪烁探测器会出现较明显的损伤现象.

关键词: 辐射探测 , 无机闪烁体 , Yb∶YAG , 辐照损伤 , 强光一号

真空蒸发法制备PbI2多晶薄膜研究

李玉红 , 张弘 , 李振生 , 李丹民 , 贺德衍

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.035

用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78 eV.

关键词: PbI2多晶薄膜 , 真空蒸发 , 辐射探测

温度梯度对核辐射探测器用PbI2晶体生长影响研究

刘静 , 张羽

硅酸盐通报

以多晶碘化铅(PbI2)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及Ⅰ-Ⅴ特性.研究表明在温度梯度为5 K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为0.6 K/cm以及1 K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从6.7×108 Ω·cm以及6.8×108 Ω·cm提高至3.3 × 109Ω·cm可以有效提高晶体的探测效率.优化生长时的温度梯度有利于碘化铅单晶质量的提高,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器.

关键词: 碘化铅 , 辐射探测 , 垂直布里奇曼法

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