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La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的输运行为

刘宁 , 孙勇

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.009

研究了Co位Fe掺杂对La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的电输运性质和超大磁阻效应的影响.实验结果表明:在低掺杂(x≤0.1)时电阻率表现出金属性输运行为,在高掺杂(x=0.2和0.3)时则为半导体行为.Fe掺杂削弱了Tc处的MR峰值,但增加了低温下(T《Tc)的MR值.La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的磁电阻的起源可由外加磁场导致的自旋态转变来解释.

关键词: 材料科学基础学科 , CMR效应 , 固相反应法 , 输运机制

La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的输运行为

刘宁 , 严国清 , 孙阳

稀有金属材料与工程

研究了Co位Fe掺杂对La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的电输运性质和巨磁效应的影响.结果表明:电阻率在低掺杂(x≤0.1)时显示金属性输运行为,而在高掺杂(x=0.2,0.3)时则显示半导体行为.而且,Fe掺杂削弱了Tc处的MR峰值,但增加了低温下T≤Tc的MR值.La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的磁电阻的起源可由外加磁场导致的自旋态转变来解释.

关键词: La0.67Sr0.33Co1-xFexO3 , 巨磁(CMR)效应 , 输运机制

纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性

徐刚毅 , 王天民 , 王金良

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.010

利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc-Si:H),形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C-V和J-V测试研究了二极管的电学性质。C-V特性指出该异质结为突变型。J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制:小偏压时(<0.8V)二极管电流由 耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定,纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度,这是该二极管温度稳定性好的根本原因;大偏压(>1.0V)时电输运符合电荷限制电流(SCLC)模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。

关键词: 纳米硅/单晶硅 , Np异质结二极管 , 输运机制

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