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Bi2Sr2Co2O8体系中Pb替代及I插层对其结构和物性的影响

王杭栋 , 万海洋 , 林杨帆 , 方明虎

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.03.007

自今年3月在NaxCo2O4+Yh2o中发现超导电性以来,具有层状结构的Co系氧化物又受到人们广泛的关注.本文在成功合成具有misfit层状结构Bi2Sr2Co2Oy单相样品的基础上,通过Pb对Bi的部分替代、以及I的插层,成功地使其c轴由1.49nm增至1.87nm,并对其输运性质和磁性质进行了系统研究.结果发现:Pb的部分替代并没有使该体系的电阻-温度关系行为发生显著变化,但在低温下使样品呈现自旋玻璃态行为;I的插入不仅使其c轴长度增加,而且样品变为半导体,并不呈现超导电性,在低温下同样呈现自旋玻璃态行为.同时对Pb替代及I插层效应进行了讨论.

关键词: 钴氧化物 , 自旋玻璃 , 过渡性金属氧化物

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