孙德辉
,
刘宏
,
颜涛
,
王继扬
人工晶体学报
近化学计量比钽酸锂晶体的各种优越的物理性质已经吸引了众多研究者们的兴趣.常规提拉法生长的钽酸锂是一种非化学计量比的晶体,晶体中存在大量的本征缺陷,限制了其在高性能器件的应用.研究者们都在努力寻找一种能生长大尺寸高质量晶体的方法,并利用晶体的各种性质制造相应的功能器件.本文综述主要介绍了同成分钽酸锂晶体的缺陷结构和未掺杂和掺镁近化学计量比钽酸锂晶体的生长技术及成分测试方法.
关键词:
近化学计量比
,
钽酸锂
,
晶体生长
,
成分测试
,
缺陷结构
陈辉
,
郑燕青
,
路治平
,
崔素贤
,
王绍华
,
施尔畏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.012
本文对采用双坩埚提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体沿其各向切块腐蚀后通过直接观察和在金相显微镜下观察,对其各个面的畴结构进行了分析.我们发现晶体a面上由于镜相对称不反映畴结构,b面和c面上的腐蚀形貌则完全显露而且按一定的方向整齐地排列,证明我们生长的SLN晶体是完全单畴结构的晶体.
关键词:
近化学计量比
,
LiNbO3晶体
,
畴
,
形貌
刘金伟
,
刘国庆
,
江竹青
,
陶世荃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.025
按化学计量比,用提拉法成功生长了不同掺量的Tb:Fe:LiNbO3晶体,分别测量了掺杂LiNbO3晶体在紫外(313nm)曝光前后的吸收光谱,曝光后吸收谱线整体上移,找到了吸收谱线上移最大的掺量比.并用差热分析仪DTA测量了居里温度Tc, 从而计算出Li/Nb的比例.分析表明,Tb:Fe:LiNbO3晶体的存储性能与掺量、定比有密切的联系,是一种优良的大容量体全息记录材料.
关键词:
铌酸锂晶体
,
近化学计量比
,
吸收光谱
,
组分测定
师丽红
,
孔勇发
,
阎文博
,
刘宏德
,
李晓春
,
谢翔
,
许京军
,
孙军
,
陈绍林
,
张玲
,
孙磊
,
赵迪
,
张万林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.011
本文研究了不同组分钽酸锂晶体的拉曼散射光谱,我们发现,在谱线的形状和数量方面,近化学计量比晶体与同成分晶体存在明显差异.通过实验,我们得到了钽酸锂晶体完整的长波长光学模式,并首次给出了钽酸锂晶体拉曼线宽和晶体组分的定量关系.另外,我们还发现了两个与本征缺陷相关的局域模,278cm-1和750cm-1峰,它们的强度与晶体中本征缺陷的数量成正比.
关键词:
近化学计量比
,
钽酸锂晶体
,
拉曼光谱
,
缺陷
郑燕青
,
施尔畏
,
王绍华
,
陈辉
,
卢网平
,
孔海宽
,
陈建军
,
路治平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.001
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体.
关键词:
双坩埚提拉法
,
近化学计量比
,
临界生长速率
,
组分过冷
王海丽
,
杭寅
,
张连瀚
,
祝世宁
,
徐军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.037
利用提拉法, 从掺入11mol%K2O和1mol%MgO的化学配比LiNbO3熔体中生长了高质量的掺镁近化学计量比LiNbO3晶体.与同成分LiNbO3晶体相比, 紫外吸收边发生明显蓝移, OH-红外吸收峰的位置和波形也发生了显著的变化, 初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值浓度.酸腐蚀结果表明, 晶体具有区域性单畴结构.
关键词:
LiNbO3晶体
,
近化学计量比
,
吸收光谱
,
畴结构
孔勇发
,
许京军
,
刘宏德
,
王岩
,
阎文博
,
谢翔
,
黄自恒
,
陈绍林
,
张光寅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.026
应用气相传输平衡技术,我们获得了3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值.在我们实验室所能达到的最大光强26 MW/cm2照射下,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高6个量级,为目前已报道的铌酸锂晶体之最.应用双光束全息写入法测得掺1.0 mol% Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有4.6×10-7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级,从已有实验数据推测,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高9个量级以上.
关键词:
铌酸锂
,
近化学计量比
,
光折变
