李华兵
,
范广涵
,
陈练辉
,
吴文光
,
熊予莹
,
刘颂豪
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.026
在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.
关键词:
光电子学
,
Ⅲ-Ⅴ族混晶
,
MREI
,
光学声子
,
近邻力常数
