胡贵军
,
石家纬
,
张素梅
,
齐丽云
,
李红岩
,
张锋刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037
介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.
关键词:
半导体激光器
,
高功率
,
远结
,
噪声
