胡旭波
,
赵学洋
,
魏冉
,
王敏刚
,
向军涛
,
陈红兵
人工晶体学报
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达φ25 mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间.结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375 nm以上波长具有良好光学透过性,在300 nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525 nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804 ～ 1054 ns.该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强.
关键词:
钼酸镉
,
单晶生长
,
坩埚下降法
,
光谱性能
,
退火效应
卢勇
,
林理彬
,
何捷
,
卢铁城
功能材料
对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理,利用SEM和xPS对辐照前后的薄膜进行分析,发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象,并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关;较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤,当辐照剂量增大时,γ射线在VO2薄膜中产生退火效应,使薄膜表面质量得到改善.辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合,对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论.
关键词:
VO2薄膜
,
γ辐照
,
变价
,
退火效应
欧阳可青
,
任天令
,
刘华瑞
,
曲炳郡
,
刘理天
,
李伟
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.004
采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀.研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳.研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了3000Oe强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件.通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.5Oe,交换偏置场超过800Oe.最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较.
关键词:
自旋阀
,
底钉扎
,
巨磁电阻
,
退火效应
王硕
,
陈家胜
,
何捷
,
孙鹏
功能材料
制备了一批辐射变色薄膜,利用紫外线辐照该薄膜,辐照后薄膜由无色变为蓝色,并在670nm处出现一吸收峰,吸收峰的吸光度对辐照剂量有良好的线性响应关系.对辐照后的薄膜进行了退火实验,当温度升高到45℃后,出现一新的吸收峰(545nm),随着温度进一步升高670nm峰逐渐消失,545nm峰逐渐升高.当温度达到110℃时,670nm峰完全消失,545nm峰达到稳定,薄膜也相应地由蓝色变为粉红色.薄膜颜色的变化主要是由于其内部分子结构发生了变化:由碳碳三键共轭(无色)变为辐照后的碳碳三键和碳碳双键不在一个平面内的共轭(蓝),最后变为退火后的碳碳三键和碳碳双键在一个平面内的共轭(粉红).进一步的红外光谱分析也证实了对薄膜结构变化的解释.
关键词:
辐射变色薄膜剂量计
,
退火效应
,
红外光谱分析
,
变色机理
邓德安
,
KIYOSHIMA Shoichi
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00565
采用热-弹-塑性有限元计算方法模拟了奥氏体不锈钢SUS304在单道堆焊时的温度场和应力场,探讨了加工硬化和退火软化对焊接残余应力计算结果的影响,重点考察了数值模型中的退火温度设定值对焊接残余应力计算精度的影响.数值模拟结果表明:退火软化效应对纵向残余应力的计算结果有明显影响,随着退火温度设定值的升高,纵向残余应力的峰值增大,而且焊缝及其附近的纵向应力有整体升高的趋势.退火温度对横向残余应力的影响较小.比较计算结果与实验结果可知,SUS304钢的退火温度设定为1000℃时,数值模拟结果与实测结果比较吻合.
关键词:
退火效应
,
加工硬化
,
残余应力
,
数值模拟
金运范
,
杨茹
,
王衍斌
,
刘昌龙
,
刘杰
,
侯明东
,
姚江宏
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.003
用Raman散射和XPS技术分析了能量为几百keV到几百MeV的多种离子在C60薄膜中引起的辐照效应. 分析结果表明,在低能重离子辐照的C60薄膜中,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的. 在快离子(120 keV的H离子和171.2 MeV的S离子)辐照的情况下,电子能损起主导作用. 发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应,致使C60由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在S离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,因此,在C60由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.
关键词:
辐照效应
,
C60薄膜
,
荷能离子
,
退火效应
姚存峰
,
金运范
,
宋银
,
王志光
,
刘杰
,
孙友梅
,
张崇宏
,
段敬来
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.04.013
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5keV/nm时,不同辐照剂量(5×10(10)-8×10(13)ions/cm2)下,在C60薄膜中引起的辐照损伤效应.分析表明,Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤.在辐照剂量达到一中间值1×10(12)ions/cm2,C60分子的损伤得到部分恢复,归因于电子激发引起的退火效应.通过对Raman数据的拟合分析,演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10(-14)cm2.
关键词:
C60薄膜
,
辐照效应
,
GeV能量的离子
,
退火效应
,
聚合
