帕提曼·尼扎木丁
,
海日沙·阿不来提
,
阿布力孜·伊米提
功能材料
将水热法合成的LiFePO_4粉体作为原料,通过浸渍-提拉法制备了LiFePO_4纳米薄膜.观察了热处理温度对薄膜折射率和透光率等光学性能的影响.结果表明,在120～450℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜折射率和透射率(在可见光区)增大,并膜厚减小.
关键词:
LiFePO_4纳米薄膜
,
浸渍-提拉法
,
热处理
,
透射光谱
张燕
,
连洁
,
宋平
,
高尚
,
马跃进
,
李娟
材料导报
分别用红外光谱测量系统和双光束分光光度计研究了室温下碳化硅单晶的光学性质,测得碳化硅晶体的透射率和反射率随波变化的关系.通过掺氮与非掺杂碳化硅各种光谱的比较,发现掺氮不仅使近红外透射率降低,也导致反射率下降,掺氮碳化硅晶体在可见光部分出现了比较明显的吸收带.此外,利用透射谱还获得非掺杂6H-SiC晶体的折射率.
关键词:
掺氮6H-SiC
,
近红外反射光谱
,
透射光谱
,
光学性质
张红鹰
,
吴师岗
,
杜健
硅酸盐通报
用电子束蒸发方法沉积HfO2薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定HfO2薄膜的结构特征和光学性能,并测定薄膜的弱吸收和损伤阈值.结果表明:HfO2薄膜在沉积温度为350℃时,达到了较好的结晶程度.在可见光和近红外光区具有很高的透过率;HfO2薄膜的损伤阈值比较高,达到10.5 J/cm2.
关键词:
HfO2薄膜
,
X射线衍射
,
透射光谱
,
薄膜结构
,
光学性能
刘艳美
,
方庆清
,
李雁
,
吕庆荣
,
周军
,
吴明在
,
宋学萍
,
孙兆奇
功能材料
在玻璃衬底上用sol-gel方法制备了具有室温铁磁性的Zn0.88Co0.12O薄膜,X射线衍射(XRD)和紫外可见透射谱(UV-vis)证明Co2+ 替代Zn2+ 掺入了ZnO的晶格中.随退火温度的升高,光致发光谱(PL)中紫外发光峰增强,缺陷相关的可见光辐射减弱.用振动样品磁强计(VSM)对其磁性进行了表征.分析表明,薄膜室温铁磁性源于替位的Co离子,而非形成了第二相,其磁性强弱与退火处理制度有关,取决于替位的Co2+ 和缺陷引起的载流子之间的耦合程度.
关键词:
Zn0.88Co0.12O
,
室温磁性
,
退火
,
透射光谱
夏方
,
赵东辉
,
饶金华
,
杨云霞
,
陈国荣
,
功能材料
采用不同的熔制气氛制备了一系列密度大于5g/cm3的Ce3+掺杂重金属锗酸盐玻璃.玻璃基质组成包括GeO2、BaO和Gd2O3.通过比较分析辐射前后玻璃在紫外可见区的透射光谱及差示透射谱(DTS)研究了玻璃透射光谱的辐射诱导效应.结果表明,基质玻璃随着辐射剂量的增加透过率大幅度单调下降.但是掺入Ce3+之后,辐射使玻璃的透过率下降不多,甚至有所增强,并且和玻璃的熔制气氛和辐射剂量有一定关系.这一特殊现象是由熔制气氛导致铈离子价态变化及Ce3+/Ce4+具有消除辐射诱导色心能力所致.
关键词:
铈掺杂
,
重金属锗酸盐玻璃
,
透射光谱
,
辐射诱导效应
,
辐射保护
郭立强
,
丁建宁
,
杨继昌
,
程广贵
,
凌智勇
,
董玉忠
功能材料
利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜.利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱.研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化.薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数目的差异,致使晶态比增加,薄膜的吸收系数、消光系数在波长为400nm附近依次增加,光学带隙值从1.96eV减小到1.66eV.
关键词:
直流负偏压
,
消光系数
,
透射光谱
,
氢化纳米硅薄膜
欧阳艳东
,
黄翀
,
余云鹏
,
林舜辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.020
通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性,分析比较一般偏光片和防紫外偏光片F1225DU的紫外透射光谱,从而说明新型偏光片的防紫外特性.F1225DU对紫外线有比较好的吸收,能挡住各种波长的紫外光,起防止紫外光破坏液晶显示器件的作用.
关键词:
偏光片
,
紫外光
,
液晶显示器
,
透射光谱
杨子义
,
郝正同
,
徐虎
材料导报
室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响.实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜.
关键词:
BaSi2薄膜
,
晶体结构
,
表面形貌
,
透射光谱
,
电学性质
王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.018
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xSrxSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb1-xSrxSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe外延薄膜
,
透射光谱
,
折射率
,
吸收系数
