郑必举
,
胡文
功能材料
通过脉冲激光沉积法首次制备了ZnO/CdO复合薄膜.采用X射线衍射、光致发光和电阻率测量分析了薄膜的结构、光学和电学性能.光致发光谱表明所有ZnO/CdO复合薄膜都具有相同的PL发光峰,保持了未掺杂ZnO的发光特性.同时,复合薄膜的电阻率大大地下降了几个数量级,接近了纯CdO薄膜的电阻率.这可以用Matthiessen公式来解释.与传统掺杂方法相比,制备的ZnO/CdO复合薄膜可同时具有ZnO的发光特性和CdO的电学特性,从而获得单一TCO材料所不具备的性能,满足某些特殊需求.
关键词:
薄膜
,
脉冲激光沉积
,
透明导电氧化物
,
光致发光
王小伟
,
李晨辉
,
柯文明
,
胡加佳
,
黄帅
材料导报
介绍了制备GZO薄膜的各种方法,如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法;阐述了这些方法的镀膜原理,并比较了各种工艺的优缺点.综述了GZO薄膜在单层膜领域、复合多层膜领域有机物基底上镀膜领域和薄膜后续退火处理领域的研究现状.提出了产业化过程中需要解决的问题:①制备高密度、高溅射稳定性和导电性优良的靶材;②完善现有镀膜工艺条件;③制备符合不同生产要求的薄膜..
关键词:
GZO薄膜
,
透明导电氧化物
,
制备方法
,
电阻率
,
可见光透过率
刘宏燕
,
颜悦
,
望咏林
,
伍建华
,
张官理
,
厉蕾
航空材料学报
doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2015.4.010
透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜.综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则.化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物.根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种.在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导.进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用.In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力.此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点.
关键词:
氧化铟
,
氧化锡
,
氧化锌
,
透明导电氧化物
吴云龙
,
成惠峰
,
余刚
,
王永斌
,
韩磊
,
付静
材料科学与工程学报
透明导电薄膜的厚度制约其光电性质。本研究利用磁控溅射技术制备了厚度变化范围为200-1500nm的ITO薄膜,探索了薄膜颜色、可见光透过率、面电阻与膜厚的关系。薄膜颜色随着膜厚的增加呈现有规律的变化,可见光透过率随薄膜厚度的增加而呈现振荡下降趋势,并出现了极大值（紫红色）,振荡趋势可用多光束干涉解释;薄膜面电阻随膜厚的增加呈减小趋势,薄膜厚度为1387nm时,面电阻为1.3Ω/□,薄膜最小电阻率为1.8×10-4Ω.cm。文章给出了可以通过选择恰当的薄膜厚度,以尽可能满足透明导电薄膜面电阻、透过率两个相互矛盾的指标。
关键词:
ITO
,
可见光透过率
,
面电阻
,
透明导电氧化物
缪存星
,
赵占霞
,
栗敏
,
徐飞
,
马忠权
人工晶体学报
利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.
关键词:
射频磁控溅射
,
SZO薄膜
,
溅射压强
,
透明导电氧化物
李明
,
宓一鸣
,
言智
,
季鑫
表面技术
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8 cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响.结果表明:采用6～8 cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90％,电阻率约为5×10-4 Ω·cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8 cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备.
关键词:
脉冲激光沉积
,
柔性基底
,
透明导电氧化物
,
掺锡氧化铟
,
铝掺杂氧化锌
,
铟掺杂氧化锌
陈帅
,
赵小如
,
段利兵
,
白晓军
,
刘金铭
,
谢海燕
,
关蒙萌
材料导报
以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜.利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能.讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响.结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5％时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5％时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/口,电阻率达到1.1×10-Ω·cm.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
透明导电氧化物
,
Sb掺杂SnO2
,
缓冲层
刘文婷
,
张赟
,
吴漫漫
,
李勇安
材料导报
介绍了Cu基铜铁矿结构透明导电氧化物(TCO)材料的结构特点,综述了几种主要Cu基铜铁矿结构TCO材料如CuAlO2、CuGaO2、CuInO和CuSeO2在理论计算以及实验研究方面的最新进展.其中,CuAlO2的相关研究开始较早,数量较多;由于可能具有较高的p型导电特性,CuScO2的相关研究也较多;而有关CuGaO2和CuInO2的研究则较少.最后介绍了这几种TCO材料在掺杂改性方面的研究进展.
关键词:
透明导电氧化物
,
Cu基
,
铜铁矿
,
掺杂
王华
材料导报
透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域.综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景.
关键词:
透明导电氧化物
,
功能材料
,
光电特性
,
制备方法
,
进展
