杨磊
,
刘涌
,
王慷慨
,
丛炳俊
,
程波
,
陆妍
,
林俊君
,
宋晨路
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.012
透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.
关键词:
透明导电氧化物薄膜
,
常压化学气相沉积
,
晶体质量
,
光电性能
马全宝
,
叶志镇
,
何海平
,
朱丽萍
,
张银珠
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.019
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10-4Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
关键词:
ZnO:Ga
,
透明导电氧化物薄膜
,
磁控溅射
,
氧分压
,
光电特性
姚尧
,
肖少庆
,
刘晶晶
,
顾晓峰
人工晶体学报
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18％.
关键词:
异质结太阳电池
,
透明导电氧化物薄膜
,
AFORS-HET
,
功函数
刘丹
,
黄友奇
材料导报
柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛.但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要.简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果,展望了未来柔性衬底的选择及应用趋势.
关键词:
柔性衬底
,
透明导电氧化物薄膜
,
柔性透明导电氧化物薄膜
