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以Al2O3/AlN为复合绝缘缓冲层的ZnO-TTFT透过率的研究

袁广才 , 徐征 , 张福俊 , 王勇 , 许洪华 , 孙小斌

功能材料

采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明.

关键词: ZnO薄膜 , 反应磁控溅射 , 透射率 , 透明薄膜晶体管

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