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关于倍频的部分相干光理论:I.定义与描述

赵珂

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.05.020

本文基于部分相干光理论重新考察并描述了晶体的倍频过程.概括地说,本文用入射基波传播经基矢为a、b的晶格定义出晶体输出面中两点p2和p1,然后计算该两点2ω0光振动分量之间的互相干函数,在互相干函数的计算中采用了频域变换技术,通过引入定义量p(ω)及其求解,最后确定了由部分相干光理论所重新表述的入射基波激励产生的二次谐波的辐射强度分布的理论描述.

关键词: 倍频 , 二次谐波 , 部分相干光理论

关于倍频的部分相干光理论:Ⅱ.一致性分析

赵珂

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.06.015

文献[2]中关于倍频的部分相干光理论: Ⅰ.定义与描述,基于部分相干光理论重新考察并描述了晶体的倍频过程,从而最终确定了由部分相干光理论所重新表述的入射基波激励产生的二次谐波的辐射强度分布的理论描述.但是我们也许会问是否有可能证明:文章中抽象定义的采用,以及从这种引入的抽象定义并辅以部分相干光理论论证可行性的要求出发得到的结果确实是合理的.本文将探讨推理思路与先前Franken和Ward的描述[1]是否一致,并进一步看到这种定义以及基于这种定义所展开的论证是否成立.

关键词: 倍频 , 部分相干光理论 , 二次谐波

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