朱绍将
,
刘翔
,
彭巨擘
,
严磊
,
张鹏翔
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2003.04.010
用脉冲激光溅射(PLD)法在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了掺4.0 wt%Ag的超巨磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3薄膜.在氧气氛中经高温处理后薄膜显示了近室温的金属-绝缘体相变点(TMI≈300 K),与通常提高TMI的结果相比较,此工艺较好地保持了材料相变点区间的陡度,且电阻温度系数(TCR)在此区内仍达到8%.这为制造近室温磁敏感元件、自旋电子学器件、辐射热探测器等提供了重要材料.
关键词:
低维金属材料
,
超巨磁电阻
,
金属-绝缘体相变
,
电阻温度系数
孙洪君
,
王敏焕
,
边继明
,
苗丽华
,
章俞之
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160456
采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15～60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制.本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研究具有重要意义.
关键词:
二氧化钒薄膜
,
太赫兹时域光谱
,
分子束外延
,
金属-绝缘体相变
王杭栋
,
杨金虎
,
李琦
,
万海洋
,
方明虎
,
张维
,
吉村一良
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.009
在采用固相反应法成功制备单相Na0.75Co1-xRuxO2(0≤x≤0.5)样品的基础上,对其结构、输运性质和磁性质进行了系统研究.结果表明, x≤0.5的样品仍保持单相,样品的晶格参数随着Ru替代浓度x值的增加逐渐增大,说明在该体系中,Ru能均匀地替代Co.对于x=0的样品,在整个测量温区内,其电阻率-温度关系呈现典型的金属行为; x=0.01样品在T=37K附近发生了金属-绝缘体相变;而x≥0.02的所有样品,整个测量温区内均为半导体.与x=0样品相比较,x=0.1样品在30K时的电阻率增大了5个数量级.我们认为该体系在x=0.01附近发生的金属-绝缘体(MI)相变,起源于CoO2层的无序导致的电子的Anderson局域化.对于所有样品,在2K以上均没有观测到长程磁有序,其磁化率在100 K以上均满足居里-外斯定律,同时对该体系的磁化率结果进行了详细讨论.
关键词:
钴氧化合物
,
金属-绝缘体相变
,
Ru部分替代
