黄根生
,
王成新
,
黄柏标
,
崔得良
,
高善民
,
秦晓燕
,
于淑琴
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.013
采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析.实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料.
关键词:
AlAs/GaAs反射膜
,
反射率
,
导纳矩阵法
,
金属有机化学气相沉积
许效红
,
王民
,
侯云
,
王栋
,
王弘
,
王卓
功能材料
采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜,研究了Si衬底取向、退火温度、退火时间、退火气氛对其结构和电性能的影响.结果表明,500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜,经过600℃以上退火处理后,均可转变为纯金红石相结构.其中,Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构,而Si(100)上的TiO2薄膜,需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构.结果还表明,退火气氛中的氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
MOCVD
,
TiO2薄膜
,
金红石
孙成真
,
贾志刚
,
尚林
,
孙佩
,
余春燕
,
张华
,
李天保
人工晶体学报
利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差.
关键词:
GaN
,
金属有机化学气相沉积
,
成核层
,
生长温度
苏学军
,
李岩
,
张金春
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.05.009
采用金属有机化学气相沉积工艺和快速退火工艺,在硅(100)基片上制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构,通过测量材料的电滞回线和漏电流密度,研究快速退火对Bi4Ti3O12薄膜电性能的影响.在优化的工艺条件下,Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化强度(Pr)为8μC/cm2,漏电流密度为10-11 A/cm2.
关键词:
快速退火
,
铁电薄膜
,
金属有机化学气相沉积
,
X射线衍射
陈高芳
,
常桥稳
,
谌喜珠
,
叶青松
,
陈立桥
,
刘伟平
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2012.01.015
金属钯薄膜作为一种新型的稀贵金属低维材料,因为其优异的物理和化学性能,在耐高温涂层、微电子、膜反应器、催化等领域有着非常重要的应用.钯薄膜优异的性能及广阔的应用前景引起人们广泛的关注.介绍了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备钯膜用前驱体的研究进展以及MOCVD工艺中各类前驱体的优缺点,概述了其目前研究的热点和进一步研究的方向.
关键词:
金属材料
,
钯薄膜
,
前驱体
,
金属有机化学气相沉积
赵翠俭
,
孙素静
材料导报
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一.采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相.采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响.在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14.
关键词:
纳米线
,
均匀性
,
GaAs-AlGaAs
,
芯-壳结构
,
金属有机化学气相沉积
赵立峰
,
谢长生
材料导报
介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况,以及几种典型前驱体的沉积性能.着重介绍了羰基镍的沉积特性.结合MOCVD技术的最新进展,对镍的化学气相沉积技术作了简要的展望.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
镍薄膜
黄志荣
,
孙启凤
,
罗小秋
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.02.005
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜.采用光学金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)等仪器设备,研究了Al2O3薄膜组织结构及其抑制结焦的能力.实验结果表明,当沉积温度为350℃,以ATSB为前驱物在HP40钢表面制备了纳米晶Al2O3薄膜,该薄膜具有表面平整、均匀、致密的特点,且具有明显抑制结焦作用,结焦抑制率达到52.4%以上.
关键词:
Al2O3薄膜
,
结焦
,
金属有机化学气相沉积
,
裂解炉
,
HP40钢
左然
,
张红
,
徐谦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.009
针对三重进口径向流动行星式MOCVD反应器的输运过程进行二维数值模拟研究,探讨有关行星式反应器流道高度和托盘直径能否继续扩大,如何控制基片上方温场和浓度场为最佳分布这样一些本质问题,同时寻找反应器的优化条件.模拟结果发现:(1)通过对反应器形状进行优化,使进口处流道趋向于流线的形状,可以大大地削弱甚至消除由流道扩张引起的涡旋;(2)在影响对流涡旋的几何参数中,反应腔高度起主要作用,而反应腔直径影响较小.对于优化后的反应器,发生对流涡旋的临界高度提高到2～2.5cm,对应的反应器直径增加到40cm;(3)在相同温差、不同衬底温度的条件下,反应器内的流动形态不同.衬底温度高,对流涡旋较弱;衬底温度低,对流涡旋较强.其原因在于气体的粘滞力随温度升高从而抑制了浮升力的作用;(4)衬底上方均匀的流场对应均匀的温场和较高的反应物浓度,热扩散则使TMGa在衬底处的浓度降低.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
反应器
,
对流
,
扩散
,
数值模拟
李冬梅
,
李璠
,
苏宏波
,
王立
,
戴江南
,
蒲勇
,
方文卿
,
江风益
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014
本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.
关键词:
氧化锌
,
金属Ti
,
Si衬底
,
金属有机化学气相沉积
