韩军
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邢艳辉
,
邓军
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朱延旭
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徐晨
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沈光地
功能材料
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。
关键词:
Mg掺杂InGaN
,
金属有机物化学气相淀积
,
原子力显微镜
,
X射线双晶衍射
邢艳辉
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韩军
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邓军
,
刘建平
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牛南辉
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李彤
,
沈光地
功能材料
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
关键词:
p-氮化镓
,
δ掺杂
,
原子力显微镜
,
金属有机物化学气相淀积
