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单源热蒸发制备有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜及其性能表征

范平 , 古迪 , 梁广兴 , 罗景庭 , 张东平 , 陈聚龙

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150098

采用全真空单源热蒸发沉积技术直接制备钙钛矿太阳电池用有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和分光光度计对制备的CH3NH3PbI3薄膜微结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征分析,并与非真空旋涂法制备的CH3NH3PbI3薄膜性能进行比较。结果表明:单源热蒸发法制备的 CH3NH3PbI3薄膜呈现单一的钙钛矿四方晶体结构,且与蒸发源材料的晶体结构同源性高,没有出现杂质相偏析;对比旋涂法制备的 CH3NH3PbI3薄膜表面均匀致密平整,且薄膜结晶度更高;单源热蒸发法制备的CH3NH3PbI3薄膜禁带宽度为1.57 eV,符合钙钛矿太阳电池吸收层光学性能要求。

关键词: 单源热蒸发法 , CH3NH3PbI3薄膜 , 钙钛矿太阳电池 , 微结构

两步旋涂沉积条件对钙钛矿薄膜形貌和电池性能的影响研究

李欣杭 , 周国庆 , 潘国兴 , 李田 , 张发培

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.023

钙钛矿薄膜的制备条件和生长过程对其太阳电池性能有着至关重要的影响.基于两步旋涂法,采用4种不同的薄膜工艺制备了平面异质结型钙钛矿太阳电池,系统地研究了CH3NH3PbI3薄膜形貌对于太阳电池性能的影响.实验发现,PbI2溶液的溶剂成分以及CH3NH3I溶液的浓度对于生成的CH3NH3PbI3光活性层形貌和太阳电池性能有着显著影响.相比于纯的N,N-二甲基甲酰胺(DMF),采用DMF/二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂配制PbI2溶液,获得的钙钛矿薄膜层更加平整致密,器件性能更高且性能的重现性更好.通过制备条件的优化,得到了14.2%的最佳能量转换效率.此外还分析了器件伏-安(J-V)特性测量中出现的回滞现象及其可能原因,并发现在空穴层传输层和金电极间插入6 nm MoO3层能够显著地抑制J-V回滞效应.

关键词: 钙钛矿太阳电池 , 两步旋涂法 , 形貌 , 溶剂 , 缺陷密度

CuSCN空穴传输层工艺对钙钛矿电池性能的影响

赵善真 , 丁毅 , 郭升 , 石标 , 姚鑫 , 侯福华 , 郑翠翠 , 张德坤 , 魏长春 , 王广才 , 赵颖 , 张晓丹

人工晶体学报

采用溶液法制备了硫氰酸亚铜(CuSCN)薄膜,并将其作为空穴传输层制备了平面n-i-p型钙钛矿太阳电池.系统考察了CuSCN薄膜退火温度、旋涂转速对钙钛矿太阳电池性能的影响.研究结果表明,CuSCN薄膜在70 ℃下退火10 min可以获得较好的电池性能;在此基础上通过调整旋涂转速至2000 r/min,控制CuSCN薄膜厚度约为240 nm,电池性能获得了进一步的提升,电池效率可达11.77%.该研究结果表明,CuSCN材料是一种有潜力的、低成本高性能无机空穴传输材料.

关键词: CuSCN薄膜 , 钙钛矿太阳电池 , 溶液法 , 空穴传输层

CsGeI3空穴传输层平面异质结钙钛矿太阳电池的模拟优化

杨永勇 , 汪礼胜 , 许伟康 , 张勇 , 王嘉绮 , 陈凤翔

人工晶体学报

采用AFORS-HET软件对CsGeI3空穴传输层(Hole Transport Material, HTM)平面异质结钙钛矿太阳电池进行了模拟,TiO2作为电子传输层,CH3NH3PbI3作为光吸收层,C作为背电极,分别讨论了钙钛矿光吸收层厚度、缺陷浓度,光吸收层/HTM界面态密度和HTM对太阳电池性能参数的影响.模拟优化得到CsGeI3 HTM的PSCs最佳性能参数为:Voc=1.199 V,Jsc=22.2 mA·cm-2,FF=86.22%,PCE=22.95%,效率虽略低于spiro作为HTM的器件,但考虑生产工艺和制备成本,CsGeI3作为HTM的PSCs将具有更好的应用前景.

关键词: AFORS-HET , 钙钛矿太阳电池 , CsGeI3

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