徐义彪
,
李亚伟
,
桑绍柏
,
秦庆伟
,
杨建红
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2013.03.002
在轻烧氧化镁粉(粒度≤45 μm)中分别添加0、1％、2％、5％、10％(w)的化学纯TiO2,经球磨混合、干压成型后,分别在1 400、1 500和1 600℃保温3h反应烧结,然后检测试样的显气孔率、体积密度和抗AlF3-Na3AlF6-K3AlF6侵蚀性,并分析其物相组成和显微结构.结果表明:1)采用反应烧结法可以制备MgO-Mg2TiO4复相材料.随着TiO2添加量从0增加到5％(w),试样致密化程度明显提高,同时Mg2TiO4生成量逐渐增多,氧化镁晶粒逐渐长大；添加10％(w)TiO2的材料,由于生成Mg2TiO4较多,体积膨胀较大,其致密度比添加5％(w)TiO2的略低.2)随着TiO2添加量从0增加到5％(w),由于材料致密度提高以及化学稳定性好的Mg2TiO4分布于方镁石晶粒周围,因此MgO-Mg2TiO4复相材料抗AlF3-Na3AlF6-K3AlF6侵蚀性逐渐提高；由于添加10％(w)TiO2的材料的致密度比添加5％(w)TiO2的低,因而抗侵蚀性稍差.
关键词:
氧化镁
,
氧化钛
,
钛酸镁
,
电解质
,
抗侵蚀性
何伟
,
李斌
,
张其土
材料科学与工程学报
以钛酸锶铋(SBT)系高压陶瓷电容器材料为主要研究对象,对其掺加不同摩尔百分含量的MgTiO3,通过对陶瓷试样的耐压强度,介电常数,介电损耗等方面的研究分析,所得结果表明:当MgTiO3:SrTiO3:Bi2O3·3TiO2=46:46 : 8(摩尔比),烧结温度为1240℃时,可获得材料性能为:Eb≈9.1kV/mm,εr≈374,tanδ≈2×10-4,介电性能较好的低介电常数无铅高压陶瓷电容器材料.
关键词:
高压陶瓷电容器
,
介电性能
,
钛酸锶
,
钛酸镁
,
低介电常数
赵麒植
,
张树人
,
唐斌
,
周晓华
,
孙成礼
材料科学与工程学报
Mg2SiO4粉体的形貌和粒度.最终获得的MgTiO3陶瓷1MHz下的介电常数为17.3,损耗角正切1.3 × 10-4,Mg2SiO4陶瓷1MHz下的介电常数为6.9,损耗角正切2.5×10-4.
关键词:
钛酸镁
,
镁橄榄石
,
固相合成
,
非化学计量比
,
介电性能
黄勇
,
周晓华
,
张树人
,
李波
,
张磊
功能材料
介绍了用固相反应法制备钛酸镁以及用CaTiO3、ZnNb2O6掺杂改善其微波介电性能.利用XRD图谱分析物相组成和含量,实验结果表明用固相反应法经过适当的热处理过程在MgO不过量的情况下可以合成纯净的钛酸镁.5%(原子分数)CaTiO3、6%(质量分数)ZnNb2O6掺杂得到的MgTiO3可在1300℃下烧结,且具有优异的微波介电性能:εr=21,τf=0,Q×f=130000(13GHz).
关键词:
钛酸镁
,
固相反应法
,
微波介电性能
王竹梅
,
汪婷
,
李月明
,
沈宗洋
,
洪燕
硅酸盐通报
采用固相反应法制备了0.965 MgTiO3-0.035SrTiO3 (MST)微波介质陶瓷,选用Zn2+对MST陶瓷进行了A位离子掺杂,研究了不同Zn2+掺杂量对陶瓷烧结性能、晶相组成、显微结构及微波介电性能的影响.结果表明,Zn2的掺入促进了陶瓷的烧结,显著提高了陶瓷的致密度,且没有改变陶瓷的主晶相.在掺杂量小于0.04mol％范围内,随着Zn2+掺杂量的增加,陶瓷的介电常数增加,品质因素和频率温度系数略有降低.中间相MgTi2 O5的衍射峰强度随着Zn2+掺杂量的增加逐渐减弱直至完全消失.当Zn2掺杂量为x=0.03时,陶瓷的烧结温度由1380℃降低至1290℃,并呈现优异的微波介电性能:εr=22.51,Q×f=16689 GHz,τf=-4.52×10-6/℃.
关键词:
微波介质陶瓷
,
钛酸镁
,
微波介电性能
朱海奎
,
刘敏
,
周洪庆
,
杨春霞
,
梁斌
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.006
研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨.结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240～1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料的MgTiO3陶瓷的介电常数分别为20.8,17.5和19.8,在5～20MHz下,介电损耗低,多为10-4数量级;在10kHz下,介电常数的温度系数在-66×10-6/℃左右,是一种性能良好的微波介质材料.
关键词:
钛酸镁
,
烧结温度
,
介电性能
