吴军
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杨文彬
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何方方
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周元林
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董发勤
功能材料
采用无电金属沉积法在硅衬底上制备出了大面积规整的硅纳米线阵列,并对其形貌控制的影响因素和形成杌理进行了研究.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对硅纳米线阵列和相应银枝晶的形貌和结构进行了表征.结果表明,硅纳米线阵列的形貌受水热体系中溶液配比、温度和时间的影响,在温度为50℃、HF和AgNO3浓度分别为4.6和0.02mol/L的条件下,容易得到大面积排列规整的硅纳米线阵列,并且硅纳米线的长度为30~50μm,直径为200nm左右.无电金属沉积法为硅纳米线及其阵列的制备提供了一种设备简单、条件温和的制备方法.
关键词:
硅纳米线阵列
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银枝晶
,
无电金属沉积法
,
制备
赵秀华
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陈福义
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刘婧
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2012.01.005
通过迦尔瓦尼置换反应在不同的Ag+溶液中制备出了铜基银枝晶,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电化学工作站分别对样品的结构、微观形貌以及电化学性能进行了表征.结果表明,随着溶液中Ag+浓度和反应时间的增加,银的形貌从团簇状向树枝状转变,氧还原电催化性能也增强；在相同浓度Ag+溶液中,SO42-比NO3-更能促进枝晶的生长,但当阴离子是NO3-时比阴离子是SO42-时所制备的银枝晶的氧还原电催化性能更好；在10 mmol/L AgNO3溶液中,反应时间为1800 s时制备的银枝晶电极使H2O2的还原峰电流最大,在0.1mol/L Na2SO4+5mmol/L H,O2溶液中,恒电位为-0.32 V时,其稳态电流密度可达2.83 mA/cm2.初步提出了银枝晶的生长机制和H2O2的氧还原催化机制.
关键词:
迦尔瓦尼置换反应
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银枝晶
,
氧还原
,
稳态电流密度
