张吉晔
,
陈福义
,
闫晓红
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.02.006
在ITO导电玻璃基体上应用电沉积方法制备了银纳米晶体,通过调节沉积电位,制备了形貌和尺寸可控的样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱仪(UV -Vis)分别对样品的结构、微观形貌以及光学性质进行了表征.结果表明:沉积电位是在一定范围内决定银纳米晶体的生长速度和最终生长形态的直接因素,在沉积电位E= 0.2～0 V(SCE)之间观察到了沿(111)面择优生长引起的多面体晶体-枝晶转化；通过UV - Vis光谱发现,当E= -0.2V时,在350 nm处有一个区别于其它电位的明显的吸收峰.
关键词:
物理化学
,
银纳米晶体
,
晶体生长形态
,
表面等离子共振
陈瀛
,
宫斯宁
,
何光辉
,
孙学良
,
陈敬中
,
洪汉烈
人工晶体学报
从结晶学的角度探讨了银纳米晶体形成的机理:银纳米晶体生长过程遵循布拉维法则,对比了银纳米晶体的立方面心格子主要面网密度应为(111)>(200)>(110)>(100).以银的单一晶胞为基本单元,分析了银纳米结晶形态的变化趋势:优先生长为四面体(八面体),立方体;常形成立方体、八面体与菱形十二面体,正负四面体与立方面体,八面体与立方体、菱形十二面体的聚形;以及多种银纳米尺度的结晶形态可共存.
关键词:
银纳米晶体
,
立方面心格子
,
结晶形态
,
布拉维法则
