陈玉武
,
郝秋艳
,
刘彩池
,
赵建国
,
王立建
,
吴丹
材料热处理学报
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响.结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃ RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍.另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大.
关键词:
铸造多晶硅
,
少子寿命
,
快速热处理(RTP)
,
缺陷
季尚司
,
左然
,
苏文佳
,
韩江山
人工晶体学报
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量.同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低.
关键词:
铸造多晶硅
,
杂质传输
,
Si3N4涂层
,
数值模拟
季尚司
,
左然
,
苏文佳
,
韩江山
材料导报
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.铸锭生长过程中的杂质主要有C、N、O、金属离子及固体颗粒SiC和Si3 N4.这些杂质能够降低晶片中少数载流子的寿命及太阳电池的填充因子；同时固体颗粒会造成切片过程的断线和晶片表面产生划痕.设计了一种新的方法生长大晶粒多晶硅,对石墨垫板进行刻槽处理,并采用数值模拟的方法模拟了该生长过程杂质的传输.模拟结果表明,刻槽的深度明显影响着初始生长时结晶界面上O、C和N的分布；同时刻槽深度越大,生长速率越快,越能够抑制晶体中SiC和Si3N4的形成.
关键词:
铸造多晶硅
,
点冷却
,
杂质传输
,
数值模拟
席珍强
,
楼峰
,
俞征峰
,
杨德仁
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2004.06.003
研究了铸造多晶硅中不同温度单步退火下氧沉淀的形成规律.实验发现,单步热处理工艺下铸造多晶硅中氧沉淀的形成规律和单晶硅的基本相似,但是在铸造多晶硅中形成氧沉淀的量明显高于直拉单晶硅中氧沉淀的量;在含高密度位错的单晶硅中形成氧沉淀的量远高于无位错单晶硅中氧沉淀的生成量,而有晶界的多晶硅中形成氧沉淀生成量仅稍微高于无晶界单晶硅中氧沉淀生成量.以上结果表明,铸造多晶硅中位错对氧沉淀的形成有明显的促进作用,而晶界则对氧沉淀的促进作用不是很显著.最后,基于实验结果讨论了铸造多晶硅中初始氧浓度,位错和晶界对氧沉淀影响的机理.
关键词:
铸造多晶硅
,
氧
,
热处理
罗大伟
,
孙金玲
,
张爽
,
张国良
,
李廷举
功能材料
当今多晶硅已成为最主要的光伏材料,利用定向凝固工艺生产铸造多晶硅铸锭已成为业界广为采用的方法,但目前利用定向凝固工艺生产出来的多晶硅铸锭仍存在较多的缺陷,例如材料利用率低以及组织不均匀等问题.为了进一步优化铸造工艺,采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉进行了多晶硅定向凝固实验.重点对比研究了石英坩埚和石英陶瓷坩埚对铸锭质量的影响.研究表明相对于石英坩埚而言,具有涂层的石英陶瓷坩埚不但可以防止铸锭产生裂纹,而且铸造出的多晶硅铸锭具有表面质量好以及相对发达粗大的柱状晶组织,平均晶粒尺寸为3～4mm.同时氯化硅涂层可以有效地降低铸锭中杂质氧的含量.
关键词:
铸造多晶硅
,
石英陶瓷坩埚
,
氮化硅涂层
席珍强
,
杨德仁
,
陈君
材料导报
近年来,由于低成本和高效率的优势,铸造多晶硅成为最主要的光伏材料之一.现在,其铸造工艺相对成熟:对材料的缺陷和杂质的研究日趋深化;吸杂、钝化及表面织构化等技术的应用显著地改善了材料的电学和光学性能.实验室水平上,用铸造多晶硅材料制成的太阳电池的转换效率高达18.6%.本文详细阐述了铸造多晶硅材料的研究现状和存在的问题,展望今后的发展方向.
关键词:
铸造多晶硅
,
缺陷和杂质
,
电学性能
