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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究

夏冬林 , 刘梅冬 , 赵修建 , 周学东

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.016

以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.

关键词: 锆钛酸铅(PZT)薄膜 , PT种子层 , sol-gel法 , 快速热处理 , 电滞回线 , Ⅰ-Ⅴ特性

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