段小月
,
马放
,
袁中新
电镀与涂饰
为了改善钛基β-PbO2电极的性能,以含SnCl4和SbCl3的异丙醇-浓盐酸混合液为原料,采用热沉积法制备了SnO2-Sb2O3底层,再采用电沉积方法在由PbO和NaOH组成的电解液中制备了α-PbO2中间层.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)考察了SnO2-Sb2O3底层的形貌与结构,并研究了电沉积时的电流密度、温度和时间对α-PbO2中间层的影响.实验结果表明,SnO2-Sb2O3底层主要由SnO2晶体组成,其表面呈干裂泥土状.在电沉积α-PbO2中间层时,电流密度不宜大于3 mA/cm2,温度宜为40～60℃,时间应控制在1.0h左右.
关键词:
钛
,
二氧化铅
,
中间层
,
锡锑氧化物
,
电沉积
,
形貌
,
晶型
季振国
,
周荣福
,
毛启楠
,
霍丽娟
,
曹虹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
关键词:
透明半导体薄膜
,
锡锑氧化物
,
PN结
