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InP/GaAs低温键合的新方法

谢生 , 陈松岩 , 何国荣 , 周海文 , 吴孙桃

功能材料

通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.

关键词: 低温键合 , 磷化铟 , 砷化镓 , I-V特性 , 键合强度

基于微波放电法的PDMS材料表面改性

张雅雅 , 崔建国

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.09.013

目的:研究微波放电法对聚二甲基硅氧烷( PDMS)材料表面的改性效果。方法利用家用微波炉的微波作用以及自制的真空罩电极装置,产生低温等离子体放电,对PDMS材料表面进行激活处理。对处理后的PDMS材料表面接触角的恢复情况以及PDMS间的键合强度进行实验测试。结果微波放电处理后的PDMS材料表面初始呈现出很强的亲水性,当微波功率为140 W,工作5 s时,PDMS表面接触角可达到10。左右;通过观察发现随着放置时间的增加,PDMS材料表面接触角逐渐增大且在10天后恢复到原始疏水角状态;同时,经过改性的PDMS样品之间可实现较好的键合封装,其最优键合条件为80℃+1.5 h压合,其键合强度可达到12.4 N。结论使用微波放电法处理PDMS材料表面,可成功地对材料进行亲水改性处理,并实现PDMS间的很好键合。与传统等离子体处理键合方法相比,该方法简单、经济且高效。

关键词: 微波放电 , 低温等离子体 , PDMS , 接触角 , 键合强度

基于紫外臭氧光照技术的PDMS表面改性参数研究

张雅雅 , 崔建国

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.03.015

目的:聚二甲基硅氧烷( PDMS)作为微流控芯片研制中常用的高分子材料,其本身的疏水特性是影响微流控芯片整体键合效果的主要障碍。为了在短时间内成功实现PDMS与基底材料的有效键合与封装,设计一种可在普通实验室开展的低成本且高效的PDMS材料改性方法。方法基于紫外臭氧光照改性法对PDMS材料表面进行改性研究,通过正交试验深入研究紫外光照射时间、距离及通氧时间对PDMS表面改性效果的影响,并在50℃水浴环境下通过测量不同时间PDMS基片与盖片( PDMS或玻璃)的键合强度,从而确定最优工艺参数组合。结果相比于传统紫外光照射表面改性法的键合时间(大于50 h),本工艺可在6 h内成功实现PDMS的有效封装,并确定了P—P键合和P—G键合的最优参数组合,两者平均键合强度均大于200 kPa。结论整个工艺操作简单、成本低,可作为普通实验室开展微流控实验研究的有益补充。

关键词: 表面改性 , 紫外臭氧光照 , 聚二甲基硅氧烷 , 键合强度 , 最优工艺参数

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