钟月锋
,
万云涛
,
夏海平
,
张约品
功能材料
应用坩埚下降法成功地生长出了Ni 2＋掺杂的CdWO4单晶。测定了晶体的吸收与荧光光谱。根据晶体分裂场理论和吸收特性,计算了Ni 2＋在该Cd-WO4晶体中的晶格场分裂参量Dq=1054cm-1、Racah参量B=1280cm-1与C=5982cm-1。在314nm光的激发下,观察到发光中心为480nm的蓝光,这是Cd-WO4晶体中WO66＋中的电子跃迁所致。在808与980nm的激发下,均观察到发光中心分别为1068nm的近红外发射带,归结为和Ni 2＋八面体格位的3 T2g（3F）→3 A2g（3F）能级跃迁。
关键词:
光学材料
,
镍掺杂CdWO4晶体
,
近红外发光
,
荧光半高宽
