高嫒嫒
,
冯凯
,
安忠维
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.002
反式十氢萘类化合物是一类应用前景广泛的液晶材料,能有效改善混合液晶配方的物理性能.依据近似加法规则,考察了A、B系列反式十氢萘类液晶的引入对配方性能的影响规律,结果显示,A系列反式十氢萘类液晶添加到混合液晶基础配方中,能同时改善配方的高温性能和低温性能,拓宽液晶相区间;B系列添加到基础配方中,能明显改善基础配方的低温性能.含氟B系列反式十氢萘类液晶添加到混合液晶配方中,能有效降低配方的Δn、Vth、Vsat.
关键词:
混合液晶
,
性能
,
熔点
,
清亮点
,
液晶相区
,
阈值电压
,
双折射率
段宝兴
,
杨银堂
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.013
针对发展高速、低功耗CMOS电路,分析了CMOS技术对多层金属栅的要求;对于不同金属厚度的双层金属栅,利用MOS系统能带的变化得出半导体与多层金属功函数差取决于底层金属的功函数,这为只通过调节底层金属功函数以达到改变CMOS阈值电压提供了理论依据;利用不同厚度的双层金属系统能带变化分析获得,当多层金属栅的底层金属厚度小于其最大偶极层厚度时,功函数较厚膜材料变大,达到"厚度调变功函数"效应.
关键词:
CMOS
,
双层金属栅
,
阈值电压
,
调变功函数
单尼娜
,
吕长志
,
李志国
,
张小玲
,
郭春生
,
朱春节
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.009
对VDMOS各样品进行总剂量3KGy(Si)的γ射线辐照试验,对比了试验前后的阈值电压、亚阈值电流、跨导及导通电阻的变化情况,并从理论上分析了参数退化的原因.然后研究了辐照后VDMOS各样品在室温下长时间存储及退火后参数的变化情况,并做出了解释.试验结果表明:γ射线辐照使得各样品参数有不同程度的退化,其中,A类样品的阈值电压平均退化4.5V,B类样品平均退化1.74V;亚阈值电流增长大于2个数量级;跨导平均增长0.7S;导通电阻平均退化0.052Ω.在室温下长时间存储后样品参数有小幅度的恢复.高温退火使得样品各参数基本恢复至辐照前水平.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
阈值电压
,
存储
,
退火
郑定山
,
邹旭明
,
蒋涛
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.
关键词:
InAs纳米线
,
场效应晶体管
,
阈值电压
,
迁移率
季振国
,
张春萍
,
冯丹丹
,
柯伟青
,
毛启楠
材料科学与工程学报
利用溶胶-凝胶法制备了Zn_(1-x)Mg_xO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征.XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加.I-V特性曲线表明,基于Al/Zn_(1-x)Mg_xO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节.上述现象表明,Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn_(1-x)Mg_xO薄膜中电子的本征跃迁有关.
关键词:
Zn_(1-x)Mg_xO
,
薄膜压敏电阻器
,
Mg掺杂
,
阈值电压
王立波
,
曹晖
,
杨海莲
,
张立培
,
魏强
,
马征
,
张卫东
,
耿君
,
杨槐
材料导报
选用丙烯酸胆固醇酯/甲基丙烯酸β-羟乙酯/液晶复合体系,在紫外光照射下制备聚合物分散液晶薄膜.研究了两种丙烯酸酯类单体的配比对聚合物分散液晶薄膜的电-光性能的影响规律,由此确定了制备综合电-光性能优异的PDLC薄膜材料的最佳制备条件.
关键词:
聚合物分散液晶
,
聚合物分相法
,
对比度
,
阈值电压
,
饱和电压
季振国
,
王玮丽
,
毛启楠
,
席俊华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.011
本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标.分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系.结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阚值电压线性增大.因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压.
关键词:
ZnO薄膜
,
压敏电阻器
,
阈值电压
,
薄膜厚度
曾云
,
李晓磊
,
张燕
,
张国樑
,
王太宏
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.018
提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:
短沟道
,
绝缘衬底上硅
,
双极MOS场效应晶体管
,
阈值电压
刘国柱
,
夏都灵
,
黄子强
,
杨文君
,
康桂珍
材料导报
研究了以ITO-PET为基板柔性PDLC膜的电光特性,讨论了基板的表面效应、单体的黏度、膜厚、单体的含量等因素对PDLC膜电光特性的影响.研究发现,在相分离的过程中,与表面摩擦方向近似相互垂直的上下两柔性基板上的摩擦印痕边界之间易形成类似于槽栅状聚合物"壁垒".这些聚合物"壁垒"具有很强的表面锚定能,能固定液晶微滴,阻止其流动和相互之间团聚,使得细小液晶微滴能按照摩擦方向排列整齐,可以降低其阈值电压和饱和驱动电压,且提高了对比度.研究还发现单体与液晶二者之间黏度的匹配程度也是实现优异电光性能的关键因素之一.通过优化不同膜厚和单体的含量,制备出了具有低阈值电压、低饱和驱动电压、较高对比度的柔性PDLC膜.
关键词:
聚合分散液晶
,
表面效应
,
黏度
,
阈值电压
