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阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展

高双 , 曾飞 , 宋成 , 潘峰

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160401

硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器，但其小型化日益接近物理极限。阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一，近些年受到科学界和工业界的广泛关注。本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展，其中材料部分包括电极材料和存储介质，阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学，而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力。最后，对本领域的未来研究重点进行了展望。

关键词: 阻变存储器 , 阳离子迁移 , 氧化还原反应 , 金属导电细丝 , 非易失性存储器