材料期刊网

工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的影响

潘俊德 , 田林海 , 莘海维 , 贺琦

中国有色金属学报

介绍了一种应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的新方法， 研究了N2流量、 阴极偏压、工作气压等工艺参数对合成AlN薄膜质量的影响规律。结果表明， 随N2流量的增加，AlN薄膜的质量得以提高，当N2流量达到30mLmin-1时，可合成较纯净的AlN薄膜； 阴极偏压主要影响合成薄膜的结晶状况；此外，基体材料本身及其表面状况也对合成薄膜的质量有一定影响。

关键词: 阴极电弧源法 , AlN薄膜 , 电子浴