杨金
,
代月花
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徐太龙
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蒋先伟
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许会芳
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卢金龙
,
罗京
,
陈军宁
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.17.010
基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相 HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和 Ag 及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下 Ag 掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道；共掺杂体系中其阻变机制以 Ag 传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag-O 键长明显增加,Ag 离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。
关键词:
VASP
,
阻变效应
,
缺陷
,
导电通道
,
RRAM
陈心满
,
赵灵智
,
牛巧利
材料导报
随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求.阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域.就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述.
关键词:
RRAM存储器
,
阻变效应
,
电阻存储
,
物理机制
罗劲明
,
徐初东
,
陈书汉
材料导报
研究了BiFe0.95Mn005 O3薄膜器件的双极性阻变效应.通过对薄膜器件的电流电压曲线进行电导机制的拟合分析,发现在低阻态时其电流电压关系遵循欧姆定律,而在高阻态时则满足指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流规律.同时,还研究了限制电流对双极性阻变效应的影响,结果表明通过调节限制电流值,可以改变薄膜内形成的导电丝粗细,从而得到不同的低阻态,实现薄膜器件的多态存储功能.在导电丝理论的基础上,利用指数分布陷阱控制的空间电荷限制电流机理对这一现象进行了详尽的阐述.
关键词:
BiFe0.95Mn0.05O3
,
阻变效应
,
空间电荷限制电流
