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预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响

陈齐松 , 王华 , 许积文 , 韦长成 , 张玉佩

兵器材料科学与工程

以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p+-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜(MZO)。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明:经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p+-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS(104~106);器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流(SCLC)传导。

关键词: Mn掺杂ZnO , 溶胶凝胶 , 阻变特性 , 预热处理

基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究?

艾春鹏 , 赵晓锋 , 白忆楠 , 冯清茂 , 温殿忠

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015

研究射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO 薄膜阻变特性.实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为?002?晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4.8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO 薄膜具有阻变特性且开关比可达104.

关键词: ZnO薄膜 , 射频磁控溅射 , 微结构 , 阻变特性

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