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中国材料进展
在国际上独立提出常压固相烧结制备大尺寸轻量化碳化硅反射镜材料的技术路线，突破了1m以上径轻量化碳化硅反射镜材料关键制备技术：发明了适用于大尺寸碳化硅陶瓷素坯成型的专用粉体处理技术以及复杂结构陶瓷素坯的精密成形技术，有效避免了陶瓷材料内部微气孔缺陷，确保了镜面光学质量；
关键词:
陶瓷材料
,
中国
,
精密成形技术
,
技术路线
,
硅反射镜
,
陶瓷素坯
,
制备技术
,
碳化硅
赵军
,
艾兴
,
黄新平
,
王朝霞
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.02.020
在陶瓷材料临界应力断裂理论的基础上,通过求解陶瓷圆球体第三类边界条件的瞬态温度场和瞬态热应力场,研究了陶瓷圆球的热冲击行为,建立了一个引起陶瓷圆球表面临界应力的临界温差表达式,并以此作为陶瓷圆球的抗热震参数.计算结果表明,陶瓷圆球体的临界温差大于相同Biot模数的无限大陶瓷平板的临界温差,但其表面达到临界热应力的无量纲时间远远小于无限大平板的数值.
关键词:
陶瓷材料
,
瞬态温度场
,
瞬态热应力
,
抗热震性
张纯禹
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.01.013
简要介绍三种现代优化算法,综合利用主成分降维技术、人工神经网络技术和遗传算法技术,在V-PTC材料介电性能和五个影响因素之间建立神经网络模型,然后应用遗传算法搜索最高电阻值和相应的配方.结果表明:现代优化算法在分析合理选择的样本数据,总结其中的数值规律,进而对材料性能进行优化设计方面,具有重要的应用价值.
关键词:
优化算法
,
主成分分析
,
神经网络
,
遗传算法
,
优化设计
,
陶瓷材料
曹同坤
,
邓建新
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.01.002
采用热压工艺制备了添加固体润滑剂MoS2、BN、CaF2的Al2O3/TiC陶瓷材料,测量了其力学性能和分析了其显微结构.结果表明,添加固体润滑剂的Al2O3/TiC陶瓷比未添加时的力学性能有大幅下降,其中Al2O3/TiC/CaF2陶瓷材料的力学性能最好,当CaF2含量为10%时,Al2O3/TiC/CaF2陶瓷材料的强度和硬度最高,分别达到了589MPa和HV1537;而添加BN的Al2O3/TiC陶瓷材料的力学性能最差.XRD衍射结果和微观结构显示,添加MoS2的Al2O3/TiC材料中的MoS2发生分解,基体中存在较多的气孔;添加BN的Al2O3/TiC材料中的BN与Al2O,反应生成AlN,造成大量裂纹的产生,致使材料的强度和硬度都大幅下降;Al2O3/TiC/CaF2陶瓷材料中的CaF2在烧结过程中没发生化学反应,复合材料晶粒大小均匀,基体组织成网状结构,有利于提高材料的强度.
关键词:
陶瓷材料
,
固体润滑剂
,
复合材料
,
机械性能
,
微观结构
刘宏伟
,
张龙
,
王建江
,
杜心康
材料导报
借助具有快速凝固特点的金属喷射成型思想,引入自蔓延高温合成技术,开发了一种制备新结构陶瓷材料的低成本、近终成型方法--自反应喷射成型陶瓷材料技术,并利用该技术制备了TiC-TiB2基结构陶瓷材料.通过理论分析与初步实验研究,论证了其可行性,并分析了材料的组织结构.
关键词:
自反应喷射成型
,
TiC-TiB2
,
陶瓷材料
,
可行性分析
于成龙
,
王秀峰
,
李建立
,
江红涛
,
王国文
硅酸盐通报
综述了最近几年国内外特种陶瓷胶态成型技术中干燥理论的研究进展.分析了干燥过程的基本步骤及水分流动的驱动形式.同时详细讨论了干燥过程中干燥应力的演化历史及其对薄膜或块体陶瓷生坯结构变化的影响.另外,分析了毛细管力对裂纹产生和扩展的作用.最后对干燥理论未来的发展趋势进行了展望.
关键词:
陶瓷材料
,
胶态成型
,
干燥
,
毛细管力
,
应力演化
刘威
,
刘婷婷
,
廖文和
,
张凯
硅酸盐通报
选择性激光烧结(SLS)/熔融(SLM)技术作为增材制造技术的重要分支,在成形复杂结构件、缩短零件加工时间和降低成本等方面展现出巨大优势,而陶瓷作为极具应用潜力的材料,在汽车、医疗及航空航天等领域发挥巨大的应用前景.采用SLS/SLM成形陶瓷材料,在弥补和克服传统加工工艺不足的同时为陶瓷零件的制造提供了新的思路.本文从材料、成形质量及性能等方面详细综述了国内外陶瓷材料SLS/SLM技术发展状态和研究水平,对比不同陶瓷材料,重点针对氧化锆、氧化铝成形特点及面临的问题进行阐述,阐明了目前陶瓷SLS/SLM成形中存在的亟待解决的关键性问题,并深入分析了SLS/SLM成形工艺参数如粉末粒度和形貌、激光能量密度、扫描速度、温度场及后处理工艺对SLS/SLM成形件质量和性能的影响作用.
关键词:
陶瓷材料
,
选择性激光烧结(SLS)
,
选择性激光熔融(SLM)
,
成形工艺参数
何凤梅
,
陈聪慧
,
杨景兴
,
黄娜
,
王晓叶
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2014.01.021
采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4个不同温度点的静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃.结果表明:多孔氮化硅在0.1 MPa静态空气气氛下,800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应.当生成的SiO2将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况.此外,同等温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品.
关键词:
氮化硅
,
多孔
,
氧化特性
,
高温
,
陶瓷材料
