李亚
,
王银海
,
熊毅
,
彭铁球
,
赵慧
稀有金属材料与工程
采用高温固相法合成了长余辉发光材料Sr3-xCaxAl2O6:Eu2+,Dy3+(x=0,1,2,3),研究了样品的结构、光致发光、余辉发光和热释发光性能.结果表明:所制备的样品具有相似的结构,均为立方结构的Sr3-xCaxA12O6.Sr/Ca比例的变化并没有引起基质结构的相变,但对样品的发光性能产生了显著影响；样品的余辉衰减曲线符合双指数衰减,但不同样品的初始强度和衰减快慢不同；通过调节锶钙比的方法,可以有效调控样品光致发光的颜色和余辉衰减特性.此外,测试样品的热释光曲线发现当样品中有两种不同深度的陷阱能级时,样品的余辉强度明显减弱,这可能与电子在不同的陷阱能级的转移有关.
关键词:
长余辉
,
热释光
,
陷阱能级
,
电子转移
张丽新
,
徐洲
,
何世禹
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.01.012
用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子辐照.辐照能量为200keV,辐照剂量范围为1014～1016cm-2.用热发光和热激电流分析方法,研究了硅橡胶质子辐照前后载流子陷阱能级△E及载流子类型的变化规律结果表明:当辐照剂量小于1015cm-2时,△E下降;当辐照剂量超过1015cm-2后,△E上升硅橡胶原始样品中主要载流子类型是电子型.当质子辐照剂量超过5×1014cm-2后,主要载流子类型转变为空穴型.辐照剂量继续增加,载流子类型又有向电子型转变的趋势.
关键词:
有机高分子材料
,
橡胶
,
质子辐照
,
热释光与热释电
,
陷阱能级
,
载流子类型
张沛红
,
李刚
,
盖凌云
,
雷清泉
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.05.004
研究了Dupont原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜在10 kV/mm、20 kV/mm电场下电晕老化8 h前后和在不同温度下的高场电导特性.结果表明,原始及耐电晕聚酰亚胺薄膜老化前的电老化阈值分别为35 kV/mm和45 kV/mm,并随着老化电场的增加而下降.随着温度的升高,原始聚酰亚胺薄膜的电老化阈值明显增加,而耐电晕薄膜的电老化阈值略有下降.耐电晕薄膜的电导电流比原始薄膜约大一个数量级.根据空间电荷限制电流与温度的关系,求出原始和耐电晕聚酰亚胺薄膜的陷阱能级分别为0.9 eV和0.7 eV.
关键词:
有机高分子材料
,
聚酰亚胺薄膜
,
电导电流
,
电老化阈值
,
陷阱能级
邓柳咏
,
胡义华
,
王银海
,
吴浩怡
,
谢伟
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.03.001
采用高温固相法在弱还原气氛中, 1300℃合成了掺杂Eu2+和Dy3+离子的SrAl2O4.对比研究了SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的余辉特性和热释光谱.并探讨了Dy3+的掺杂对SrAl2O4:Eu2+陷阱能级的影响.XRD分析表明: Eu2+和Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4的晶相.光致发光分析表明:Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4:Eu2+的光致发光光谱和发光中心.热释光谱对比分析结果显示: Eu2+的掺杂在SrAl2O4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy3+的掺杂不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善SrAl2O4:Eu2+的余辉特性.不同等待时间的热释光谱曲线显示:在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料复杂的余辉衰减规律.
关键词:
材料
,
陷阱能级
,
铝酸锶
,
长余辉
,
热释光
耿杰
,
吴召平
,
陈玮
,
罗澜
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.037
采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.X射线衍射分析(XRD)结果表明:该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系.其晶格常数为:a=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415.SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300t450nm,发射光谱的峰值波长在518nm处.这一结果表明该材料的发光是由Eu2+的4f65d→4f7(8S7/2)宽带跃迁产生的.其余辉衰减由初始的快衰减和其后的慢衰减所组成.通过热释光谱对材料中的陷阱能级进行了分析,该材料中存在两个较深的陷阱能级,其深度分别为0.38和1.34eV.
关键词:
长余辉
,
光谱
,
热释发光
,
陷阱能级
林元华
,
南策文
,
张中太
,
王雨田
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.033
利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0 94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.
关键词:
热释发光
,
正电子湮灭
,
长余辉
,
陷阱能级
熊海安
,
梅金硕
,
殷景华
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.05.007
采用原位聚合法制备了PI/TiO2和PI/SiO2纳米复合薄膜.研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激放电电流法(PSD)表征两种纳米颗粒对PI复合薄膜陷阱能级的影响,通过陷阱理论对介电性能的影响机制进行探讨.结果表明:TiO2和SiO2纳米掺杂提高了PI的电导率和介电常数,介质损耗相应增加,耐电晕寿命明显提高,电气强度虽有所下降但仍满足实际需要.两种纳米掺杂都在PI基体中引入了大量的浅陷阱,PI/TiO2和PI/SiO2复合薄膜的陷阱能级范围分别为1.83~2.85 eV和2.13~2.83 eV,且SiO2纳米颗粒引入的浅陷阱密度低于TiO2纳米颗粒.在此基础上,通过陷阱理论分析了两种复合薄膜的耐电晕老化机制.
关键词:
聚酰亚胺
,
光激电流法
,
纳米复合材料
,
电学性能
,
陷阱能级
