张蕾
,
崔碧峰
,
段天利
,
马楠
,
郭伟玲
,
王智群
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.015
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布.瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合.稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度.沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快.芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心.
关键词:
半导体激光器
,
三维温度分布
,
瞬态
,
稳态
,
隧道再生
朱文军
,
郭霞
,
廉鹏
,
邹德恕
,
高国
,
沈光地
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.005
本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件.同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论,这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用.
关键词:
多有源区
,
隧道再生
,
VCSELs
,
功率效率
