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N/I/d波超导体c轴隧道结的微分电导

魏健文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.018

以方势垒描述绝缘层,对N/I/d波超导体c轴隧道结的微分电导进行了研究.结果表明:在N/I/d波超导体c轴隧道结的隧道谱中存在V型结构、能隙外的凹陷和小的零偏压电导峰.这一结果能很好的解释相关的实验现象.

关键词: c轴隧道 , 方势垒 , d波超导体 , 隧道谱

正常金属/铁磁体/d波超导量子点接触系统中的隧道谱

金霞 , 董正超 , 梁志鹏

低温物理学报

本文研究了正常金属/铁磁体组成的量子线与d波超导体构成的量子点接触隧道结(N/FM/SC)中的隧道谱。利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,求解Bogoliubov-deGennes方程,计算N/FM/SC量子点接触隧道结中的微分电导.数值计算结果表明:1)中间量子线的长度以及晶轴方向会影响隧道谱的振荡周期;2)散射势垒强度影响隧道谱的峰高,铁磁体磁交换能会使峰位产生偏移.

关键词: 铁磁体 , d波超导体 , 量子线 , 隧道谱

绝缘层方势垒影响下N-I-d波超导体结的隧道谱

魏健文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.007

以方势垒描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,即便其厚度处在同一纳米量级上,彼此间仅相差零点几个纳米,电会导致微分电导随偏压的变化关系迥异,这为解释高Tc氧化物超导体的相关实验现象提供了更多的可能性;(2)粒子的入射角和绝缘层的势垒值对零偏压电导峰有显著影响.

关键词: 方势垒 , 绝缘层厚度 , N-I-d波超导体结 , 隧道谱

N/I/d波超导体结中的准粒子非弹性散射效应

魏健文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.012

考虑准粒子的非弹性散射和正常金属区域的杂质散射,以方势垒描述N/I/d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,运用Bogoliubov-de Gennes(Bde)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N/I/d波超导体结的隧道谱.研究表明;(1)伴随着准粒子的非弹性散射效应,绝缘层的势垒值及绝缘层厚度对零偏压电导峰值有显著影响;(2)准粒子有限寿命的缩短,可压低零偏压电导峰,并抹平能隙处的小峰或凹陷;(3)较大的杂质散射会导致零偏压电导峰的劈裂,而准粒子的非弹性散射则可有效地阻止其劈裂.

关键词: 非弹性散射 , 方势垒 , N/I/d波超导体结 , 隧道谱

铁磁绝缘层对正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/p波超导结隧道谱的影响

李红 , 杨新建 , 凌翠翠

低温物理学报

在正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/自旋三重态P波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了铁磁绝缘层对隧道结微分电导的影响.研究表明:(1)对于Px波,粗糙界面散射和磁散射都能使零偏压电导峰变低,能隙处凹陷升高;随着磁散射的增强,谱线的尖锐峰消失,宽峰逐渐变为凹陷;(2)对于Py波,粗糙界面散射和磁散射都能使零能凹陷上移,能隙峰变低,随着粗糙界面散射的增强,两能隙峰间距减小;随着中间正常金属层厚度的增加,能隙内电导随外加偏压呈现振荡行为,能隙外电导仅与普通势垒有关;(3)对于Px+ipy波,随着粗糙界面散射的增强,零偏压电导峰被压低,双凹陷处的值逐渐增大为小的能隙峰,而磁散射并不改变谱线中各凹陷处的电导值.

关键词: 自旋三重态P波超导体 , 隧道谱 , 磁散射 , 粗糙界面散射

粗糙界面对铁磁半导体/d-波超导隧道结隧道谱的影响

叶莉莉 , 李红

低温物理学报

考虑到铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配,运用推广了的Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了粗糙界面散射对铁磁半导体/d-波超导(FS/DS)隧道结的隧道谱的影响.研究表明:(1)铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配对系统的微分电导影响显著;(2)粗糙界面散射对Andreev反射有抑制作用.

关键词: 铁磁半导体 , 隧道谱 , 粗糙界面散射

正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱

魏健文

低温物理学报

利用Blonder-Tinkham-Klapwijk理论,计算了正常金属/铁磁绝缘层/,波超导体结的隧道谱.结果表明:(1)在正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷;(2)在Px波结的隧道谱中,磁散射能导致零偏压电导峰的劈裂,而界面的粗糙散射却可以阻止其劈裂;(3)界面的势垒散射,磁散射及其与粗糙散射的共同作用对Px、Py波结零偏压电导的影响是不同的.

关键词: p波超导体 , 铁磁绝缘层 , 隧道谱

扫描隧道显微镜对纳米碳酸钙的研究

李旭 , 杨学恒 , 彭光含 , 刘济春

材料导报

由于扫描隧道显微镜(STM)具有原子级分辨率,因而是迄今为止观察微米和更小尺度上表面三维形貌极其有效的工具.利用STM可以直接观察纳米碳酸钙的表面形貌、粒径大小、晶形、分散性以及纳米碳酸钙的隧道谱.分析了纳米碳酸钙的量子效应和宏观量子隧道效应.

关键词: STM , 纳米碳酸钙 , 隧道谱

绝缘层方势垒影响下N/I/自旋三重态p波超导体结的隧道谱

吉跃仁

低温物理学报

以方势垒描述正常金属/绝缘层/自旋三重态p波超导结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了p波超导结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度的增加,可导致自旋三重态p波超导结隧道谱中出现亚能隙共振峰,粗糙界面散射和杂质散射均对亚能隙共振产生影响;(2)对于px波结,粗糙界面散射和杂质散射均能使零偏电导峰变成凹陷,杂质散射能引起零偏电导峰的劈裂;(3)对于px波结,绝缘层厚度和杂质散射的变化均能在能隙内产生阶梯状的谱形,粗糙界面散射和杂质散射均能使谱线中的零偏电导凹陷上升为峰;(4)对于px+ipy波结,绝缘层厚度和粗糙界面散射均可导致双凹陷结构的消失和小的能隙峰的出现,它们的变化对零偏压处是峰还是凹陷产生直接影响;杂质散射能使零偏电导峰出现劈裂,并使零能凹陷和能隙处的双凹陷加深.

关键词: 方势垒 , N/I/p波超导结 , 隧道谱

铁磁-p波超导结中的自旋极化隧道谱与散粒噪声

董正超 , 付浩

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.01.004

考虑到界面的势垒散射和铁磁层中的磁交换作用,依照Sr2RuO4超导体具有自旋三重配对态的p波对称结构,研究铁磁-p波超导结中的自旋极化隧道谱与散粒噪声.研究表明:1.对于幺正配对态,随着铁磁层中磁交换劈裂增强,隧道谱与散粒噪声都减少;2.对于非幺正配对态,隧道谱与散粒噪声都依赖于铁磁层的磁化轴方向,当磁化轴平行于非幺正配对态的自旋轴时,在低偏压下磁交换作用能使隧道谱与散粒噪声增强,而当磁化轴反平行于自旋转轴时,其结果相反.

关键词: p波超导 , 隧道谱 , 散粒噪声

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