苗凤秀
,
万松明
,
张庆礼
,
吕宪顺
,
顾桂新
,
殷绍唐
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.05.008
开展了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质.以水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,以CuCl、BiCl3和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法成功制备了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的多晶.采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度变化的关系,结果表明: CuBi3Se5呈金属性质,而CuBi3S5呈半导体性质.根据Arrhenius关系式计算出CuBi3S5室温下的热激活能为17.1 meV.在室温下对CuBi3S5多晶块体进行了霍尔效应实验,结果表明:其载流子浓度为3.75×1017 cm-3,霍尔迁移率为14 cm2V-1s-1,CuBi3S5为n型半导体.漫反射光谱的实验结果表明CuBi3S5的禁带宽度约为0.66 eV.
关键词:
材料
,
光电性质
,
溶剂热法
,
四点探针法
,
霍尔效应
,
CuBi3S5
,
CuBi3Se5
王明旭
,
岳光辉
,
范晓彦
,
闫德
,
闫鹏勋
,
杨强
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.041
采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.
关键词:
氮化铜薄膜
,
XRD
,
SEM
,
AFM
,
霍尔效应
杨凯
,
辜承林
功能材料
对高温超导材料常态特性的研究与理解,将会对超导电性机理本身的研究提供关键参考信息.在常态特性研究中,以常态电荷传输特性尤其是霍尔效应的测量最为引人注目.然而,T＜Tc时试样常态特征被材料本身的超导电性掩盖了,为获得材料在Tc温度以下的常态特性,我们在高达50T的脉冲强磁场中进行霍尔效应测量,可有效抑制超导电性.本文主要介绍了50T左右脉冲强磁场的实验技术,特别是脉冲磁体、实验探钟及测量线路的设计.随后,对高温超导薄膜YBa2Cu3O6.45在强磁场中的霍尔效应测量进行了详细阐述.
关键词:
高温超导体
,
脉冲强磁场
,
常态
,
霍尔效应
左艳彬
,
周海涛
,
王金亮
,
何小玲
,
任孟德
,
张昌龙
人工晶体学报
在分别添加0.1wt％,0.2wt％和0.3％wt％ Sc2O3的水热体系中得到了ZnO单晶体.研究了杂质,特别是Sc对ZnO水热生长机制的影响.Sc及其在碱性溶液中形成阴离子配位中间体基团(例如Sc(OH)4)可以吸附到ZnO的(0001)和(0001)面,导致这两个极性面发生非极性生长,形成规则六棱柱的形貌.在室温下测得的电阻率和载流子浓度显示:即使所得晶体的钪含量仅有8 ～ 13 ppm,Sc掺杂ZnO仍是高导电性的,电阻率低于5.6×10-2 Ω·cm,载流子浓度在0.9～1.6×1018electrons/cm3.表征了切割自+c区和-c区的晶片的Zn面和O面的室温光致发光用于评价光学性能.
关键词:
钪掺杂ZnO
,
水热法
,
生长机理
,
霍尔效应
,
光致发光
公衍生
,
周炜
,
梁玉军
,
谭劲
稀有金属材料与工程
采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理.结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ·cm.在25～500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征.在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型；沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主.
关键词:
氧化铱薄膜
,
电性能
,
导电机理
,
霍尔效应
胡少坚
,
夏冠群
,
冯明
,
詹琰
,
陈新宇
,
蒋幼泉
,
李拂晓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.010
成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.
关键词:
霍尔效应
,
磁传感器
,
开关
,
GaAs
,
集成电路
王影
,
朱满康
,
马丙闯
,
侯育冬
,
程蕾
,
赵军
人工晶体学报
采用固相合成法制备CuAl1-xCrxO2陶瓷.通过XRD、XPS、电学阻抗谱和Hall效应等测试方法对陶瓷的物相结构、元素价态、电学性能等进行了研究.结果表明:所制备的样品的主要相组成是CuAlO2和Cu2O,同时,也有少量Cu2+存在.样品的电导率随Cr掺量的增加显示先增加(x=0～0.02)后减小(x=0.02 ～0.05)的趋势,其影响因素包括Cu离子价态和载流子迁移率.
关键词:
CuAlO2
,
阻抗谱
,
XPS
,
霍尔效应
王彩霞
低温物理学报
我们采用固相合成法成功地制备出单相双掺杂系列样品La1.85-2xSr0.15+2xCu1-xTixO4,并用X光衍射、电阻率、霍尔效应等实验手段对样品的结构,霍尔效应和输运性质进行了系统地研究.本文分析和讨论了高价态Ti4的掺杂对输运性质地影响.霍尔测量结果表明,对于所有的样品1/RH随温度的呈线性变化,随着Ti掺杂量x的增加,载流子浓度是不断减小的.高价态Ti4+离子被引入到CuO2面后,杂质原子附近的局域电子数密度增大.杂质原子的电子对临近O原子上的空穴的影响将会使空穴失去巡游性而被局域化,被局域化的空穴使该体系引入无规势,这正好形成了可变程跃迁环境,可变程跳跃导电输运机制主导着高温正常态输运性质.
关键词:
高温超导电性
,
霍尔效应
,
可变程跳跃
